[发明专利]清洁腔室及工艺所用的等离子体源

权利要求书

1.一种用以处理基板的设备，其包含：

一功率源；

一切换箱，耦接该功率源，该切换箱设有可交换一第一位置与一第二位置的一开关；

一第一匹配箱，耦接该切换箱；

一等离子体产生器，耦接该第一匹配箱；

一第二匹配箱，耦接该切换箱；以及

一远程等离子体源，耦接该第二匹配箱。

2.根据权利要求1所述的设备，其中该功率源为一交流功率源，适于在约300千赫至约13.56兆赫的一或多个频率下操作。

3.根据权利要求1所述的设备，其中该功率源施加约1千瓦至约11千瓦的一功率至一等离子体源，且该功率源施加约1千瓦至约11千瓦的一功率至一远程等离子体源。

4.一种用以处理基板的设备，其包含：

一具一圆顶部分的腔室主体；

一等离子体产生器，置于该腔室主体上；

一远程等离子体源，置于该腔室主体上；

一切换箱，耦接该等离子体产生器与该远程等离子体源，该切换箱设有可交换一第一位置与一第二位置的一开关；以及

一第一功率源，耦接该切换箱。

5.根据权利要求4所述的设备，其中该等离子体产生器包含设于该圆顶部分的一上部上的多个第一线圈、以及设于该圆顶部分的一侧部上的多个第二线圈。

6.根据权利要求5所述的设备，其中当该开关在该第一位置时，该第一功率源电气耦接该多个第一线圈。

7.根据权利要求5所述的设备，更包含一第二功率源，耦接该多个第二线圈。

8.根据权利要求4所述的设备，其中该第一功率源为一交流功率源，适于在约300千赫至约13.56兆赫的一或多个频率下操作，且该第二功率源为一交流功率源，用以在约300千赫至约13.56兆赫的一或多个频率下操作。

9.根据权利要求5所述的设备，其中当该开关在该第二位置时，该第一功率源电气耦接所述线圈的远程等离子体源。

10.根据权利要求4所述的设备，更包含一第一匹配箱以及一第二匹配箱，置于该切换箱与一部分的该等离子体产生器之间、以及一第二匹配箱，置于该切换箱与该远程等离子体源之间。

11.一种用以处理基板及处理腔室的方法，该方法包含以下步骤：

将一基板放入一处理腔室，且该处理腔室包含：

一腔室主体；

一等离子体源，置于该腔室主体上；

一远程等离子体源，置于该腔室主体上；

一切换箱，配有耦接该等离子体源与该远程等离子体源的一第一切换位置与一第二切换位置；以及

一第一功率源，耦接该切换箱；

利用在该第一切换位置的一开关，从该第一功率源施加功率至一部分的一等离子体产生器；

供应一第一处理气体至该腔室内；

在该腔室中产生该第一处理气体的一第一等离子体；

利用在该第二切换位置的一开关，从该第一功率源施加功率至一远程功率源；

供应一第二处理气体至该远程等离子体源；

在该远程等离子体源中产生该第二处理气体的一第二等离子体；以及

供应该第二处理气体至该腔室主体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中该第一功率源为一交流功率源，用以在约300千赫至约13.56兆赫的一或多个频率下操作。

13.根据权利要求12所述的方法，其中该第一功率源供应约1千瓦至约11千瓦的一功率至一等离子体产生器，或者该功率源供应约1千瓦至约11千瓦的一功率至一远程等离子体源。

14.根据权利要求11所述的方法，其中该等离子体产生器包含设于该圆顶部分的一上部上的多个第一线圈、以及设于该圆顶部分的一侧部上的多个第二线圈。

15.根据权利要求14所述的方法，更包含一第二功率源，耦接该多个第二线圈。