[发明专利]具有对角馈线的改善的金属上金属电容器有效
| 申请号: | 200980141970.0 | 申请日: | 2009-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN102197456A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
| 发明(设计)人: | R·赫贝霍尔茨 | 申请(专利权)人: | 剑桥硅无线电通信有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L27/08;H01L23/522;H01L27/02 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 对角 馈线 改善 金属 电容器 | ||
背景技术
在混合信号和RF电路的设计中要求高质量的电容器以补偿谐振器中的片上电感器的有限质量或者提供去耦合(以防止RF耦合在功率线或者接地线上)。经常使用金属上金属(MOM)电容器并且使用标准IC互连层构建这些电容器。也可以将这些电容器称为金属-金属梳状或者边缘电容器。
当前的电容器设计包括所有传导路径为直角的曼哈顿类型(Manhattan-style)电容器和垂直平行板(Vertical Parallel Plate,VPP)电容器,该曼哈顿类型电容器包括位于每一层102、103中的交织的(woven)金属指状物101,如图1所示。也提出了使设备中的电流路径的取向随机化并且缩短该电流路径的长度的分形电容器。
下面描述的实施例并不局限于解决公知的金属上金属电容器的任意或者全部缺陷的实施方式。
发明内容
提供发明内容部分以引入下面在具体实施方式中进一步描述的简化形式的概念选择。该发明内容部分并非旨在标识请求保护的主题的关键特征或者基本特征,也并非旨在用于辅助确定请求保护的主题的范围。
现在描述对于改善的金属上金属电容器设计的设计。该设计包括位于每一个金属层中的基本上对角的馈线。每一个金属层包括相互交织的两组金属指状物。每一组指状物包括指状物的两个子集并且彼此成直角设置该指状物的子集。位于两组中的第一组中的指状物都连接到对角馈线,而位于另一组中的指状物经由设备外围处的指状物连接到一起。在相邻层中重复该设计,其中该设计在相邻金属层中可以相同或者旋转180°。
第一方面提供一种金属上金属电容器单元设计,所述金属上金属电容器单元设计包括多个金属层,每一个金属层包括一设计,该设计包括:两组相互交叉的指状物,其中每一组指状物包括指状物的第一子集和指状物的第二子集,并且其中所述第一子集中的指状物与所述第二子集中的指状物基本上垂直;以及所述第一组指状物所连接到的成角度的馈线。
所述成角度的馈线可以包括基本上对角的馈线。
所述成角度的馈线可以比所述指状物中的任意一个更宽。
所述设计可以在相邻金属层之间旋转180°。
所述金属上金属电容器单元设计可以进一步包括多个通孔以提供相邻层之间的连接,所述通孔位于所述单元的外围处的指状物中。
第二方面提供一种金属上金属电容器设计,包括如上所述的多个单元,设置所述多个单元以使得相邻单元旋转90°,并且所述金属上金属电容器设计进一步包括顶部金属层以及设置以连接所述多个单元中的每一个的多个通孔。
位于所述顶部金属层中的所述多个通孔可以与所述成角度的馈线对准。
第三方面提供一种金属上金属电容器,包括如上所述的金属上金属电容器设计并且其中相邻金属层通过电介质层分隔开。
进一步的方面提供一种基本上如参照附图中的图2-5中的任意一个所描述的金属上金属电容器以及基本上如参照附图中的图2-5中的任意一个所描述的金属上金属电容器设计。
对于本领域技术人员来说很明显的是,可以适当组合优选特征,并且可以将所述优选特征与本发明的任意方面组合。
附图说明
将参照附图通过示例的方式描述本发明的实施例,在附图中:
图1是曼哈顿类型电容器的示意图;
图2示出了改善的MOM电容器设计的示意图;
图3示出了图2的一部分的放大图;
图4示出了改善的MOM电容器设计的进一步的示例的示意图;并且
图5示出了通过平铺(tile)单独的电容器单元创建的电容器的示意图。
在整个附图中使用相同的附图标记表示类似的特征。
具体实施方式
下面仅通过示例的方式描述本发明的实施例。这些示例代表申请人目前已知的实施本发明的最佳方式,尽管这些最佳方式不是能够实现本发明的仅有的方式。说明书阐述了所述示例的功能以及用于构建和操作所述示例的步骤顺序。然而,可以通过不同的示例实现相同或者等效的功能和顺序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥硅无线电通信有限公司,未经剑桥硅无线电通信有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980141970.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





