[发明专利]钎料合金及半导体装置有效
| 申请号： | 200980141900.5 | 申请日： | 2009-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102196881A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 前田晃;大津健嗣;山田朗 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | B23K35/26 | 分类号： | B23K35/26;B23K1/00;C22C13/02;H01L21/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 合金 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种钎料合金(3)，其含有：5质量％以上15质量％以下的Sb、3质量％以上8质量％以下的Cu、0.01质量％以上0.15质量％以下的Ni、0.5质量％以上5质量％以下的In、其余部分包括Sn及不可避免的杂质。
2.权利要求1所述的钎料合金(3)，其合计含有0.01质量％以上1质量％以下的选自P、Ge、Ga以及Bi的1种以上。
3.一种半导体装置(1)，其含有半导体元件(2)以及通过权利要求1所述的钎料合金(3)与上述半导体元件(2)接合的金属电极(4)。
4.权利要求3所述的半导体装置(1)，其在上述半导体元件(2)与上述钎料合金(3)之间以及上述金属电极(4)与上述钎料合金(3)之间的至少任一者还具备合金层(7)，所述合金层(7)具有包含Cu-Ni-Sn的化合物相(7a)、包含Cu-Sn的化合物相(7b)和包含Sb的含有相(7c)。
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