[发明专利]等离子体CVD装置、半导体膜的制造方法、薄膜太阳能电池的制造方法以及等离子体CVD装置的清洗方法

权利要求书

1.一种等离子体CVD装置，其特征在于，具备：

制膜室；

保持构件，保持设置在所述制膜室内的被处理基板；

喷头，设置在所述制膜室内并与所述保持构件相向，供给原料气体并且产生所述原料气体的等离子体；

自由基生成室，相对于所述喷头在与所述保持构件相反的一侧设置，生成处理气体的自由基；以及

开闭自如的闸门，设置在所述喷头与所述自由基生成室之间。

2.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

具备如下构造：所述自由基生成室和所述喷头通过具有多个开口部的壁而被隔开，所述多个开口部全都通过所述闸门进行开闭。

3.根据权利要求2所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

所述自由基生成室的大小大于所述保持构件的大小，

所述多个开口部在所述壁中分布在与所述保持构件同等以上的大小的区域中。

4.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

具备偏压施加部，该偏压施加部向所述闸门施加直流偏压。

5.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

在所述自由基生成室中，利用等离子体来离解自由基原料气体，生成所述自由基。

6.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

在闭合了所述闸门的状态下向所述制膜室内供给原料气体，产生所述原料气体的等离子体，利用所述等离子体分解所述原料气体并在所述被处理基板的表面堆积膜而进行了制膜之后，开启所述闸门而将在所述自由基生成室中生成的自由基导入到所述制膜室。

7.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

具备清洗气体供给部，该清洗气体供给部将用于对所述制膜室内进行清洗的清洗气体供给到所述自由基生成室，

在所述自由基生成室中利用等离子体来离解所述清洗气体，生成清洗气体的自由基。

8.一种半导体膜的制造方法，使用了等离子体CVD装置，该等离子体CVD装置具备：制膜室；保持构件，保持设置在所述制膜室内的被处理基板；喷头，设置在所述制膜室内并与所述保持构件相向，供给原料气体并且产生所述原料气体的等离子体；自由基生成室，相对于所述喷头在与所述保持构件相反的一侧设置，生成处理气体的自由基；以及开闭自如的闸门，设置在所述喷头与所述自由基生成室之间，

所述半导体膜的制造方法的特征在于，包括：

第1工序，在真空环境的所述制膜室内，在所述保持构件保持了所述被处理基板的状态下闭合所述闸门，一边向所述被处理基板的被制膜面供给所述原料气体一边产生所述原料气体的等离子体，利用所述等离子体来分解所述原料气体并堆积到所述被制膜面，从而在所述被制膜面制造所述半导体膜；以及

第2工序，向所述自由基生成室导入自由基原料气体，在利用等离子体生成自由基之后开启所述闸门，将所述自由基经由所述喷头而导入到所述制膜室内，并在真空环境中对所述半导体膜的表面的整个面照射所述自由基。

9.根据权利要求8所述的半导体膜的制造方法，其特征在于，

在所述第2工序中，在向所述闸门施加了直流偏压的状态下将所述自由基经由所述喷头导入到所述制膜室内。

10.根据权利要求8所述的半导体膜的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序中，制成微晶硅膜作为所述半导体膜，

在所述第2工序中，将氢自由基作为所述自由基而照射到所述微晶硅膜来实施钝化处理。

11.根据权利要求10所述的半导体膜的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序的途中中断所述微晶硅膜的制膜，实施所述第2工序的钝化处理，并再次实施所述第1工序的所述微晶硅膜的制膜，在结束所述微晶硅膜的制膜之后，再次实施所述第2工序的钝化处理。