[发明专利]LED和LED封装有效
| 申请号: | 200980141602.6 | 申请日: | 2009-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN102187483A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
| 发明(设计)人: | 崔正铉;姜正模;金斗显;金在煜 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | led 封装 | ||
1.一种发光器件(LED),包括:
在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;
覆盖所述第二导电类型半导体层和所述有源层的边缘的第一电介质层;以及
覆盖所述第一导电类型半导体层的边缘的第一电极层。
2.根据权利要求1所述的LED,其中所述第一电极层延伸到所述第一电介质层和所述衬底中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的LED,其中所述第一电极层仅在所述第一导电类型半导体层上。
4.根据权利要求1所述的LED,包括第二电介质层,该第二电介质层将所述第二导电类型半导体层、所述有源层和所述第一导电类型半导体层分成多个区域。
5.根据权利要求4所述的LED,其中所述第一电介质层和所述第二电介质层由相同的材料形成。
6.根据权利要求4所述的LED,包括共用第二电极,该共用第二电极在分开的第二导电类型半导体层上。
7.根据权利要求6所述的LED,其中所述共用第二电极和所述第一电极层由相同的材料形成。
8.根据权利要求6所述的LED,其中所述共用第二电极接触所有分开的第二导电类型半导体层。
9.根据权利要求1所述的LED,其中所述第一电极层包括反射金属层。
10.根据权利要求1所述的LED,包括欧姆接触层,该欧姆接触层在所述第二导电类型半导体层上。
11.一种发光器件(LED),包括:
发光结构,该发光结构包含在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;
第一电极,该第一电极在通过去除所述有源层和所述第二导电类型半导体层的部分而暴露的所述第一导电类型半导体层上;
第三电介质层,该第三电介质层覆盖所述有源层和所述第一导电类型半导体层的边缘;以及
第二电极层,该第二电极层在所述第二导电类型半导体层上。
12.根据权利要求11所述的LED,其中所述第二电极层覆盖所述第三电介质层的一部分。
13.根据权利要求11所述的LED,包括第四电介质层,该第四电介质层将所述第二导电类型半导体层、所述有源层和所述第一导电类型半导体层分成多个区域。
14.根据权利要求13所述的LED,其中所述第三电介质层和所述第四电介质层由相同的材料形成。
15.根据权利要求13所述的LED,其中所述第一电极由在分开的第一导电类型半导体层上的共用第一电极形成。
16.一种发光器件(LED)封装,包括:
在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;
覆盖所述第二导电类型半导体层和所述有源层的边缘的第一电介质层;以及
覆盖所述第一导电类型半导体层的边缘的第一电极层。
17.根据权利要求16所述的LED封装,其中所述第一电极层延伸到所述第一电介质层和所述衬底中的至少一个。
18.一种发光器件(LED),包括:
发光结构,该发光结构包含在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;
第一电极,该第一电极在通过去除所述有源层和所述第二导电类型半导体层的部分而暴露的所述第一导电类型半导体层上;
第三电介质层,该第三电介质层覆盖所述有源层和所述第一导电类型半导体层的边缘;以及
第二电极层,该第二电极层在所述第二导电类型半导体层上。
19.根据权利要求18所述的LED,其中所述第二电极层覆盖所述第三电介质层的一部分。
20.根据权利要求19所述的LED,包括第四电介质层,该第四电介质层将所述第二导电类型半导体层、所述有源层和所述第一导电类型半导体层分成多个区域。
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