[发明专利]快速原型制作设备的改进无效
申请号: | 200980141030.1 | 申请日: | 2009-10-09 |
公开(公告)号: | CN102186651A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | E.普茹瓦斯;N.H.拉森;J.格雷林;O.汉加尔德 | 申请(专利权)人: | 亨斯迈先进材料(瑞士)有限公司 |
主分类号: | B29C67/00 | 分类号: | B29C67/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马永利;李家麟 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 原型 制作 设备 改进 | ||
1.一种用于立体光刻设备(SA)的曝光系统(ES),包含:
发射波长介于200nm和l00000nm之间的光的至少一个发光二极管(LD),
具有多个单独可控光调制器(LM)的至少一个空间光调制器(SLM),
光学耦合到所述至少一个空间光调制器(SLM)的输入光学元件(IO),
光学耦合到所述至少一个空间光调制器(SLM)的输出光学元件(OO),
至少一个控制单元(CU),
其中所述输入光学元件(IO)和输出光学元件(OO)促进从所述至少一个发光二极管(LD)发射的光经由所述空间光调制器(SLM)的所述单独可控光调制器(LM)透射到照射区域(IA),
其中所述空间光调制器(SLM)使得能够依照来自所述控制单元(CU)的控制信号建立来自所述输入光学元件(IO)的光的图案,
其中所述输出光学元件(OO)使得能够将来自所述至少一个空间光调制器(SLM)的光的图案聚焦在照射斑点(ISP)上,以及
其中所述曝光系统(ES)能够将从所述发光二极管(LD)发射的相对于发光二极管(LD)的光轴(OALD)所成角度大于45度的光对齐,从而使这样的光指向相对于光轴(OALD)平行的方向。
2.根据权利要求1的曝光系统(ES),其中所述曝光系统包含用于将从所述至少一个发光二极管发射的相对于所述至少一个发光二极管的光轴所成角度大于45度的那部分光进行方向对齐的装置,从而按照所述对齐光相对于所述至少一个发光二极管的光轴所成角度为1.5度或更小的方式改变所述光的方向。
3.根据权利要求1或2的曝光系统(ES),其中所述曝光系统(ES)包含用于在所述光被引入输入光学元件(IO)之前使从所述至少一个发光二极管(LD)发射的光对齐的装置。
4.根据权利要求1-3中任意一项的曝光系统(ES),其中所述用于使从所述至少一个发光二极管(LD)发射的光对齐的装置包含至少一个反射器(RE)。
5.根据权利要求1-4中任意一项的曝光系统(ES),其中所述用于使从所述至少一个发光二极管(LD)发射的光对齐的装置包含至少一个光学透镜(OP)。
6.根据权利要求1-5中任意一项的曝光系统(ES),其中所述用于使从所述至少一个发光二极管(LD)发射的光对齐的装置包含至少一个防护罩(P)。
7.根据权利要求1-6中任意一项的曝光系统(ES),其中聚焦在相应照射斑点(ISP)上的源于一个空间光调制器(SLM)的光的能量总和与从对应于所述空间光调制器(SLM)的所述至少一个发光二极管(LD)发射的光的能量总和之间的比例至少为0.1。
8.通过使用根据权利要求1-7中任意一项的设备由光敏材料制造三维物体的方法。
9.根据权利要求8的方法,其中将所述曝光系统(ES)扫描经过所述光敏材料(LSM)。
10.一种用于立体光刻设备(SA)的曝光系统(ES),包含:
发射波长介于200nm和l00000nm之间的光的至少两个发光二极管(LD),
具有多个单独可控光调制器(LM)的至少两个空间光调制器(SLM),
光学耦合到所述至少两个空间光调制器(SLM)的输入光学元件(IO),
光学耦合到所述至少两个空间光调制器(SLM)的输出光学元件(OO),
至少一个测量单元(MU),
至少一个控制单元(CU),
其中所述输入光学元件(IO)和输出光学元件(OO)促进从所述发光二极管(LD)发射的光经由所述空间光调制器(SLM)的所述单独可控光调制器透射到照射区域(IA),
其中所述空间光调制器(SLM)使得能够依照来自所述控制单元(CU)的控制信号建立来自所述输入光学元件(IO)的光的图案,
其中所述输出光学元件(OO)使得能够将来自所述至少两个空间光调制器(SLM)的光的图案聚焦在照射区域(IA)上,
其中所述测量单元(MU)使得能够测量由每个单独空间光调制器(SLM)透射的光的强度,以及
其中所述控制单元(CU)使得能够基于所述测量值调节由每个单独发光二极管(LD)发射的光的强度。
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