[发明专利]半导体器件及使用该半导体器件的RFID标签

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

第一端，对其施加参考电势；

第二端，对其施加输入电势；

第一分压器，其包括在所述第一端和所述第二端之间提供的多个第一非线性元件和至少一个线性元件，并且输出由所述多个第一非线性元件和所述至少一个线性元件划分的第一偏置电势；

第二分压器，其包括在所述第一端和所述第二端之间提供的多个第二非线性元件，并且输出由所述多个第二非线性元件基于所述第一偏置电势划分的第二偏置电势；以及

电压调整器，其与所述参考电势和所述输入电势之间的电压无关地在所述第二偏置电势超过其阈值电压后确定并且输出恒定输出电势。

2.一种调整器电路，其包括：

如权利要求1所述的半导体器件；以及

电压调整器，其根据所述输出电势而输出电势。

3.一种包括如权利要求2所述的调整器电路的RFID标签。

4.一种半导体器件，其监测参考电势和输入电势之间的电压并且在所述电压超过预定阈值电压后获得与所述电压的值无关的恒定输出电势，其包括：

第一至第六晶体管和电阻器，其中：

所述第一晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的栅极，

所述第一晶体管的源极或漏极任一个电连接到第一布线并且所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第三晶体管的源极或漏极任一个，

所述第二晶体管的源极或漏极任一个电连接到所述第一布线并且所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第四晶体管的源极或漏极任一个，

所述第二晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个，

所述第三晶体管的栅极电连接到所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个，

所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到第二布线，

所述第四晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的源极或漏极任一个，

所述电阻器的一端电连接到所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个并且所述电阻器的另一端电连接到所述第二布线，

所述第五晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个，

所述第五晶体管的源极或漏极任一个电连接到所述第一布线并且所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第六晶体管的源极或漏极任一个，

所述第六晶体管的栅极电连接到所述第六晶体管的源极或漏极任一个并且所述第六晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二布线。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述输入电势施加到所述第一布线，

所述参考电势施加到所述第二布线，

所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个产生第一偏压，并且

所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个提取所述输出电势。

6.一种调整器电路，其包括：

如权利要求4所述的半导体器件；以及

根据所述输出电势而输出电势的电压调整器。

7.一种包括如权利要求6所述的半导体器件的RFID标签。

8.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一晶体管是p沟道晶体管。

9.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第二晶体管是p沟道晶体管。

10.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第三晶体管是n沟道晶体管。

11.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第四晶体管是n沟道晶体管。

12.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第五晶体管是p沟道晶体管。

13.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第六晶体管是n沟道晶体管。