[发明专利]金属-绝缘体-半导体隧穿接触

权利要求书

1.一种器件，包括：

具有源极区和漏极区的晶体管；

与所述晶体管相邻的第一层间电介质层；

穿过所述第一层间电介质层到达所述源极区的沟槽；以及

所述沟槽中的导电源极接触，所述源极接触通过绝缘层与所述源极区分隔开。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述晶体管是包括鳍片的多栅极晶体管。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述绝缘层位于所述鳍片的顶表面和侧壁上。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述绝缘层的厚度大约为4nm或更小。

5.根据权利要求1所述的器件，还包括：

第二层间电介质层；

第一金属化层，所述第一金属化层与所述第二层间电介质层相邻并且具有多个导电过孔和多条导电线；

位于所述第二层间电介质层之上的第三层间电介质层；

第二金属化层，所述第二金属化层与所述第三层间电介质层相邻并且具有多个导电过孔和多条导电线；并且

其中所述第一金属化层的所述多个导电过孔和所述多条导电线中的至少一些以及所述第二金属化层的所述多个导电过孔和所述多条导电线中的至少一些导电连接到所述导电源极接触。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电源极接触的厚度小于100nm。

7.根据权利要求6所述的器件，还包括填充导体，所述填充导体位于所述导电源极接触上并且基本上填充所述沟槽。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述晶体管为P型晶体管，并且所述导电源极接触包括逸出功大于大约5ev的金属。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述晶体管为N型晶体管，并且所述导电源极接触包括逸出功低于大约3.2ev的金属。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电源极接触包括铝或镍。

11.一种制造接触的方法，包括：

在具有晶体管的衬底上沉积电介质层；

在所述电介质层中蚀刻延伸至源极区的第一开口；

在所述源极区上形成绝缘体；

在所述绝缘体上形成接触金属，所述绝缘体将所述接触金属与所述源极区分隔开；

基本上填充所述第一开口的全部，其中在填充所述第一开口之后，所述接触金属保持与所述源极区分隔开。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述绝缘体的厚度大约为4nm或更小。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述绝缘体的厚度大约为1nm或更小。

14.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述绝缘体包括：形成所述绝缘层的共形层。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述晶体管是多栅极晶体管，其中所述绝缘体形成在所述多栅极晶体管的鳍片的顶部和侧壁上，以形成绝缘体顶部和绝缘体侧壁，并且其中所述接触金属形成在所述绝缘体顶部和所述绝缘体侧壁上。

16.一种器件，包括：

具有源极区和漏极区的晶体管；

源极接触，其中所述源极接触不直接与所述源极区相邻，并且其中第一绝缘层将所述源极接触与所述源极区分隔开；以及

漏极接触，其中所述漏极接触不直接与所述漏极区相邻，并且其中第二绝缘层将所述漏极接触与所述漏极区分隔开。

17.根据权利要求16所述的器件，其中所述晶体管是多栅极晶体管，所述源极区具有顶部和侧壁，所述漏极区具有顶部和侧壁。

18.根据权利要求16所述的器件，其中所述源极接触和所述漏极接触都不包括硅化物。

19.根据权利要求16所述的器件，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括HfO₂。

20.根据权利要求16所述的器件，其中所述晶体管具有包括III-V族材料的沟道区。