[发明专利]半导体基板、电子器件、以及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板，其依次包括底板基板、绝缘层、和Si_xGe_1-x结晶层，且0≤x＜1，其特征在于，包括：

设置在所述Si_xGe_1-x结晶层上的抑制层；和

与所述Si_xGe_1-x结晶层晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体，

所述抑制层包括贯通至所述Si_xGe_1-x结晶层的开口、且抑制所述化合物半导体的晶体生长。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述开口具有以上的纵横比。

3.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体包括：

在所述开口内部的所述Si_xGe_1-x结晶层上比所述抑制层的表面更凸出地晶体生长的晶种化合物半导体晶体，和

以所述晶种化合物半导体晶体为核、且沿所述抑制层横向生长的横向生长化合物半导体晶体。

4.根据权利要求3所述的半导体基板，其特征在于，

所述横向生长化合物半导体晶体包括：

以所述晶种化合物半导体晶体为核、且沿所述抑制层横向生长的第1化合物半导体晶体，和

以所述第1化合物半导体晶体为核、且沿所述抑制层在与所述第1化合物半导体晶体不同的方向横向生长的第2化合物半导体晶体。

5.根据权利要求3所述的半导体基板，其特征在于，

所述横向生长化合物半导体是III-V族化合物半导体或者II-VI族化合物半导体。

6.根据权利要求3所述的半导体基板，其特征在于，

所述抑制层包括多个所述开口，

在所述多个开口的每一个的内部与所述Si_xGe_1-x结晶层晶格匹配或准晶格匹配的所述化合物半导体，同在相邻的所述开口内部与所述Si_xGe_1-x结晶层晶格匹配或者准晶格匹配的所述化合物半导体不相接触。

7.根据权利要求6所述的半导体基板，其特征在于，

所述多个开口等间隔地设置。

8.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述Si_xGe_1-x结晶层的与所述化合物半导体的界面通过气体的P化合物进行表面处理。

9.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体是III-V族化合物半导体或者II-VI族化合物半导体。

10.根据权利要求9所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体是III-V族化合物半导体，包含作为III族元素的在Al、Ga、和In中的至少一种，且包含作为V族元素的在N、P、As、和Sb中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体包括缓冲层，该缓冲层包括包含P的III-V族化合物半导体，

所述缓冲层与所述Si_xGe_1-x结晶层晶格匹配或者准晶格匹配。

12.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述底板基板是单晶Si，

所述半导体基板还包括在所述底板基板中的没有设置所述Si_xGe_1-x结晶层的部分上所设置的Si半导体器件。

13.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述Si_xGe_1-x结晶层的形成有所述化合物半导体的面具有：从选自(100)面、(110)面、(111)面、与(100)面在结晶学上等价的面、与(110)面在结晶学上等价的面、以及与(111)面在结晶学上等价的面中的一个结晶面倾斜的偏置角，并且0≤x＜1。

14.根据权利要求13所述的半导体基板，其特征在于，

所述偏置角为2°以上6°以下。