[发明专利]氧化硅膜、氧化硅膜的形成方法及等离子体CVD装置

权利要求书

1.一种氧化硅膜的形成方法，通过等离子体CVD法在基板上形成由0.5％稀氢氟酸溶液蚀刻的蚀刻速率为0.11nm/秒以下的氧化硅膜，其特征在于，

包括以下各工序：

在处理容器内配置上述基板，

向上述处理容器内供给包含有含硅气体和含氧气体的处理气体，

将上述处理容器内的压力设定在0.1Pa以上6.7Pa以下的范围内，

经由具有多个孔的平面天线向上述处理容器内导入微波，生成上述处理气体的等离子体，利用该等离子体在上述基板上形成氧化硅膜。

2.根据权利要求1所述的氧化硅膜的形成方法，其特征在于，

将在上述处理容器内的用于载置上述基板的载置台的温度设定在300℃以上600℃以下的范围内，进行上述氧化硅膜的形成。

3.根据权利要求1或2所述的氧化硅膜的形成方法，其特征在于，

上述含硅气体相对于全部处理气体的流量比率在0.03％以上15％以下的范围内。

4.根据权利要求3所述的氧化硅膜的形成方法，其特征在于，

上述含硅气体的流量在0.5mL/min(sccm)以上10mL/min(sccm)以下的范围内。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的氧化硅膜的形成方法，其特征在于，

上述含氧气体相对于全部处理气体的流量比率在5％以上99％以下的范围内。

6.根据权利要求5所述的氧化硅膜的形成方法，其特征在于，

上述含氧气体的流量在50mL/min(sccm)以上1000mL/min(sccm)以下的范围内。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的氧化硅膜的形成方法，其特征在于，

上述处理气体中还包含有含氮气体，所形成的上述氧化硅膜是含氮的氮氧化硅膜。

8.根据权利要求7所述的氧化硅膜的形成方法，其特征在于，

上述含氮气体相对于全部处理气体的流量比率在5％以上99％以下的范围内。

9.根据权利要求8所述的氧化硅膜的形成方法，其特征在于，

上述含氮气体的流量在60mL/min(sccm)以上1000mL/min(sccm)以下的范围内。

10.根据权利要求1～9中任意一项所述的氧化硅膜的形成方法，其特征在于，

上述含硅气体是SiCl₄，上述氧化硅膜通过次级离子质谱分析(SIMS)进行测量时膜中的氢原子的浓度是9.9×10²⁰atoms/cm³以下。

11.一种氧化硅膜，其特征在于，

通过权利要求1～10中任意一项所述的氧化硅膜的形成方法形成。

12.一种等离子体CVD装置，是通过等离子体CVD法在被处理体上形成氧化硅膜的等离子体CVD装置，其特征在于，具有：

处理容器，其收纳被处理体，并在上部具有开口；

电介质部件，其封闭上述处理容器的上述开口；

平面天线，其被重叠设置在上述电介质部件上，并具有用于向上述处理容器内导入微波的多个孔；

气体导入部，其与气体供给机构连接，该气体供给机构用于向上述处理容器内供给包含了含硅气体和含氧气体的处理气体；

排气机构，其对上述处理容器内进行减压排气；以及

控制部，其实施控制以便进行如下的等离子体CVD：在上述处理容器内，将压力设定在0.1Pa以上6.7Pa以下的范围内，从上述气体供给机构向上述处理容器内供给包含了上述含硅气体和含氧气体的上述处理气体，经由上述平面天线导入微波而生成等离子体，在被处理体上形成由稀氢氟酸溶液蚀刻的蚀刻速率为0.11nm/秒以下的氧化硅膜。