[发明专利]具有扩充模式的固态存储装置控制器

权利要求书

1.一种固态存储装置控制器，其包括：

存储器控制电路，其用于以非扩充存储器模式控制至少一个主要的较快存储器装置且以扩充模式控制所述主要存储器装置及扩充存储器装置；及

多个存储器通信信道，其用于将至少一个较慢存储器装置耦合到所述固态存储装置控制器，其中在所述扩充模式中，所述多个存储器通信信道中的至少一者经配置以将所述扩充存储器装置耦合到所述易失性存储器控制电路，

其中存取所述较快存储器装置的时间比存取所述较慢存储器装置的时间少。

2.根据权利要求1所述的固态存储装置控制器，且其进一步包含用于与外部装置通信的主机接口。

3.根据权利要求1所述的固态存储装置控制器，其中所述存储器控制电路为定序器，所述定序器以所述非扩充存储器模式控制去往所述主要存储器的定时与控制信号，且以所述扩充模式控制去往所述主要存储器装置及所述扩充存储器装置两者的所述定时与控制信号。

4.根据权利要求1所述的固态存储装置控制器，其中所述存储器控制电路为多个定序器，所述多个定序器以所述非扩充存储器模式控制去往所述主要存储器的所述定时与控制信号，且以所述扩充模式控制去往所述主要存储器装置及所述扩充存储器装置两者的所述定时与控制信号。

5.根据权利要求1所述的固态存储装置控制器，其中所述通信信道中的至少一些通信信道耦合到非易失性存储器装置群组，所述非易失性存储器装置群组各自为所述多个较慢存储器装置的不同子组。

6.根据权利要求1所述的固态存储装置控制器，其中在所述非扩充存储器模式中，所述多个存储器通信信道经配置以仅耦合到所述至少一个较慢存储器装置。

7.根据权利要求1所述的固态存储装置控制器，其中所述至少一个较慢存储器装置中的每一者为NAND架构快闪存储器装置。

8.根据权利要求1所述的固态存储装置控制器，其中所述存储器控制电路包括：

主要DRAM定序器，其用于产生用于主要DRAM的DRAM信号；

次要DRAM定序器，其用于产生用于扩充DRAM的DRAM信号；及

至少一个非易失性存储器定序器，其用于产生用于多个非易失性存储器装置的非易失性存储器信号。

9.根据权利要求1所述的固态存储装置控制器，其中所述固态存储装置为固态驱动器。

10.根据权利要求1所述的固态存储装置控制器，且其进一步包括用于将所述固态存储装置耦合到外部系统的接口，其中所述接口为并行ATA、SATA、SAS、PCIe、光纤信道、SCSI、吉位以太网中的一者。

11.根据权利要求8所述的固态存储装置控制器，其中响应于所述扩充模式，所述扩充DRAM经由所述多个存储器通信信道中的两者耦合到所述次要DRAM定序器。

12.根据权利要求11所述的固态存储装置控制器，其中DRAM地址/控制总线经由所述两个存储器通信信道中的第一者耦合，且DRAM数据总线经由所述两个存储器通信信道中的第二者耦合。

13.根据权利要求8所述的固态存储装置，其中所述扩充DRAM与所述主要DRAM共享地址及控制总线。

14.根据权利要求8所述的固态存储装置，其中当所述控制器处于所述扩充模式中时，所述扩充DRAM经由所述多个存储器通信信道中的两者耦合到所述存储器控制电路。

15.根据权利要求8所述的固态存储装置，其中所述存储器控制电路进一步包括易失性存储器定序器，当所述存储器控制电路处于所述扩充模式中时所述易失性存储器定序器耦合到所述主要DRAM及所述扩充DRAM两者。

16.根据权利要求15所述的固态存储装置，其中当所述存储器控制电路不处于所述扩充模式中时，所述易失性存储器定序器仅耦合到所述主要DRAM，且所述多个存储器通信信道仅耦合于所述多个非易失性存储器装置与所述存储器控制电路之间。

17.一种用于操作固态存储装置控制器的方法，所述方法包括：

在所述固态存储装置控制器中启用扩充模式；及

经由非易失性存储器通信信道与扩充易失性存储器装置通信。