[发明专利]有机电子元件及其制造方法有效
| 申请号: | 200980138172.2 | 申请日: | 2009-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN102165622A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
| 发明(设计)人: | 京特·施米德;拉尔夫·克劳泽;安德烈亚斯·卡尼茨;于尔根·阿德勒;斯特凡·塞德尔;阿尔维德·洪策 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电子元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机电子元件,包含
-衬底(1)
-第一电极(2)
-第二电极(4)
-设置成与至少一个电极导电连接的电子导电层(3),
其中所述电子导电层(3)可以通过包含金属中心原子的金属络合物与有机化合物一起蒸发来获得。
2.根据权利要求1的有机电子元件,其特征在于,通过所述一起蒸发将有机化合物配位到金属络合物上。
3.根据前述权利要求中任一项的有机电子元件,其特征在于,所述金属络合物包含超过一种金属中心原子。
4.根据前述权利要求中任一项的有机电子元件,其特征在于,所述一种或更多种金属中心原子选自Cr、Mo或W。
5.根据前述权利要求中任一项的有机电子元件,其特征在于,所述有机化合物包括杂芳族化合物,它通过C-C键与芳香族化合物共轭。
6.根据前述权利要求中任一项的有机电子元件,其特征在于,所述有机化合物具有如下通式:
其中
-环单元A至F互相独立地代表C,或者一个或两个环单元可以是N,
-n是2至8,末端的自由价可以分别互相独立地被H、甲基、苯基、2-吡啶基、3-吡啶基或4-吡啶基饱和,
-R1至R4可以分别互相独立地是H、甲基、苯基、2-吡啶基、3-吡啶基或4-吡啶基和/或R1和R2或R3和R4能够通过丁二烯或氮杂丁二烯单元彼此连接,以及在第n个和第(n+1)个环之间通过乙烯或甲亚胺单元连接,由此形成菲或氮杂菲单元。
7.根据前述权利要求中任一项的有机电子元件,其特征在于,所述有机化合物选自:
8.根据前述权利要求中任一项的有机电子元件,其特征在于,所述有机化合物选自:
9.根据前述权利要求中任一项的有机电子元件,其特征在于,所述有机化合物的至少部分将两个金属络合物互相桥接,从而形成金属络合物的链状结构和/或所述有机化合物的至少部分将超过两个金属络合物互相桥接,从而形成金属络合物的网状结构。
10.根据前述权利要求中任一项的有机电子元件,其构造成另外包含有机发射层(5)的有机LED(OLED)。
11.一种用于制造有机电子元件的方法,所述方法包括下列方法步骤:
A)准备衬底(1),
B)涂敷第一电极(2),
C)在衬底(1)上沉积电子导电层(3),
D)涂敷第二电极(4),
其中,电子导电层(3)的沉积通过同时蒸发金属络合物和有机化合物来实现。
12.根据权利要求11的方法,其特征在于,在同时蒸发过程中,所述有机化合物以气相配位在所述金属络合物上。
13.根据权利要求11或12的方法,其特征在于,将电子导电层(3)沉积成为链状或网状结构。
14.根据权利要求13的方法,其特征在于,电子导电层(3)的交联程度通过所述金属络合物和有机化合物之间在蒸发时的比例来控制。
15.根据权利要求11至14中任一项的方法,其特征在于,所述有机化合物在蒸发前不配位在所述述金属络合物上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980138172.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





