[发明专利]对挖空特征垂直侧壁上的金属进行构图的方法、使用该方法形成嵌入式MIM电容器的方法以及由此产生的嵌入式存储器件

权利要求书

1.一种嵌入式存储器件，包括：

第一导电层；

所述第一导电层上的第一电绝缘层；

所述第一电绝缘层中的延伸到所述第一导电层的挖空特征；以及

所述挖空特征中的MIM电容器，所述MIM电容器包括：

位于所述挖空特征中的与所述第一导电层相邻且电连接到所述第一导电层的第二导电层；

位于所述挖空特征中的在所述第二导电层内部的第二电绝缘层；以及

位于所述挖空特征中的在所述第二电绝缘层内部的第三导电层，

其中：

所述第一导电层充当所述挖空特征的基底面，并且所述挖空特征还包括从所述基底面延伸开的侧壁；

所述第二导电层覆盖所述基底面和所述侧壁的第一部分；以及

所述第二电绝缘层覆盖所述第二导电层和所述侧壁的第二部分。

2.根据权利要求1所述的嵌入式存储器件，其中：

所述第一导电层是铜线。

3.根据权利要求2所述的嵌入式存储器件，其中：

所述第三导电层是铜插件。

4.根据权利要求3所述的嵌入式存储器件，其中：

所述第二电绝缘层是保形电介质膜。

5.根据权利要求4所述的嵌入式存储器件，其中：

所述保形电介质膜包括高k材料。

6.一种对挖空特征的垂直侧壁上的金属进行构图的方法，所述方法包括：

在所述挖空特征中设置旋涂玻璃材料，使得所述金属的一部分在挖空特征中暴露于所述旋涂玻璃材料上方；

使用第一湿法蚀刻化学试剂从所述垂直侧壁蚀刻掉所述金属的所述部分；以及

使用第二湿法蚀刻化学试剂通过蚀刻掉所述旋涂玻璃材料而从所述挖空特征中去除所述旋涂玻璃材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

在所述挖空特征中设置所述旋涂玻璃材料包括利用所述旋涂玻璃材料填充所述挖空特征，然后去除所述旋涂玻璃材料的一部分，从而暴露所述金属的所述部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述旋涂玻璃材料包括聚甲基硅氧烷膜。

9.根据权利要求7所述的方法，其中：

去除所述旋涂玻璃材料的所述部分包括利用等离子体蚀刻蚀刻掉所述旋涂玻璃材料的所述部分。

10.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述第一湿法蚀刻化学试剂包括基于酸的含水化学试剂。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

所述第二湿法蚀刻化学试剂包括碱性含水化学试剂。

12.根据权利要求6所述的方法，其中：

在所述挖空特征中设置所述旋涂玻璃材料包括使用旋涂技术沉积所述旋涂玻璃材料。

13.一种形成嵌入式MIM电容器的方法，所述方法包括：

在电介质材料中形成通孔，使得金属线暴露于所述通孔的底部；

在所述通孔中沉积保形金属膜，所述保形金属膜充当所述嵌入式MIM电容器的底电极；

利用旋涂玻璃材料填充所述通孔；

去除所述旋涂玻璃材料的第一部分，使得所述保形金属膜的一部分在通孔中暴露于所述旋涂玻璃材料的保留在所述通孔中的第二部分上方；

使用第一湿法蚀刻化学试剂蚀刻掉所述保形金属膜的所述部分；

使用第二湿法蚀刻化学试剂通过蚀刻掉所述旋涂玻璃材料而从所述通孔中去除所述旋涂玻璃材料的所述第二部分；

在所述通孔中沉积保形电介质层，所述保形电介质层充当所述嵌入式MIM电容器的绝缘层；以及

利用金属插件填充所述通孔，所述金属插件充当所述嵌入式MIM电容器的顶电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

所述金属线包括铜。

15.根据权利要求14所述的方法，其中：

所述金属插件包括铜。

16.根据权利要求15所述的方法，其中：

利用所述金属插件填充所述通孔包括使用电镀技术沉积所述铜。

17.根据权利要求15所述的方法，其中：

所述保形电介质层包括高k材料。