[发明专利]变压器励磁冲击电流抑制装置有效
| 申请号: | 200980137516.8 | 申请日: | 2009-09-25 | 
| 公开(公告)号: | CN102165664A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 | 
| 发明(设计)人: | 蔦田广幸;平位隆史 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 | 
| 主分类号: | H02H7/04 | 分类号: | H02H7/04;H01H9/56;H01H33/59;H02J3/00 | 
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 许海兰 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 变压器 冲击 电流 抑制 装置 | ||
1.一种变压器励磁冲击电流抑制装置,在对三相电源实质上三相同时地接通三相变压器的三相断路器中,抑制在该接通时在该三相变压器中产生的作为过渡电流的励磁冲击电流,其特征在于,具备:
目标闭拢相位决定单元,根据所述三相电源的第1至第3相的各残留磁通值、所述三相断路器的预放电特性以及闭拢时间变动特性、所述三相变压器的连接有所述三相断路器的一侧的绕组的接线条件、以及所述三相电源的各相之间的电压相位差,对于所述各相,针对所述第1相的每个闭拢相位,决定在接通后的稳定状态下产生的变压器磁通的中心值的绝对值的最大值即接通磁通误差,以使与所述决定的第1至第3相的接通磁通误差相关的评价值实质上成为最小的方式,决定所述第1相的目标闭拢相位;以及
三相断路器控制单元,进行控制以使所述三相断路器在所述决定的第1相的目标闭拢相位的定时进行闭拢。
2.根据权利要求1所述的变压器励磁冲击电流抑制装置,其特征在于,
所述评价值是所述第1至第3相的接通磁通误差的最大值。
3.根据权利要求1所述的变压器励磁冲击电流抑制装置,其特征在于,
所述评价值是所述第1至第3相的接通磁通误差之和。
4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的变压器励磁冲击电流抑制装置,其特征在于,
所述目标闭拢相位决定单元还根据相对所述第1相的闭拢时间的、其他二相的各闭拢时间平均值的偏移量,来决定所述接通磁通误差。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的变压器励磁冲击电流抑制装置,其特征在于,
所述目标闭拢相位决定单元根据所述第1残留磁通值的上限值以及下限值、所述第2残留磁通值的上限值以及下限值、所述第3残留磁通值的上限值以及下限值、所述三相断路器的预放电特性以及闭拢时间变动特性、所述三相变压器的连接有所述三相断路器的一侧的绕组的接线条件、以及所述电压相位差,对于所述各相,针对所述第1相的每个闭拢相位决定所述接通磁通误差。
6.根据权利要求1~4中的任意一项所述的变压器励磁冲击电流抑制装置,其特征在于,
还具备保存映射的映射存储器,该映射表示各相的残留磁通值与所述目标闭拢相位之间的关系,
所述目标闭拢相位决定单元,
针对所述第1至第3相的各残留磁通值的各组合的每一个,根据所述第1至第3相的各残留磁通值、所述三相断路器的预放电特性以及闭拢时间变动特性、所述三相变压器的连接有所述三相断路器的一侧的绕组的接线条件、以及所述电压相位差,对于所述各相,针对所述第1相的每个闭拢相位决定所述接通磁通误差,以使与所述第1至第3相的接通磁通误差相关的评价值实质上成为最小的方式,决定所述第1相的目标闭拢相位,
根据针对所述第1至第3相的各残留磁通值的各组合的每一个所决定的所述第1相的目标闭拢相位来制作所述映射,并预先保存到所述映射存储器中,
参照所述映射,根据所述第1至第3相的各残留磁通值,决定所述第1相的目标闭拢相位。
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