[发明专利]用于薄膜串联光伏电池的方法和结构

权利要求书

1.一种串联光伏电池，包括：

双面顶部电池，包括：

顶部第一透明导电氧化物材料；

顶部窗口材料，位于所述顶部第一透明导电氧化物材料下方；

第一界面区，位于所述顶部窗口材料和所述顶部第一透明导电氧化物材料之间，所述第一界面区基本上没有从所述顶部第一透明导电氧化物材料扩散到所述顶部窗口材料中的一种或多种物质；

顶部吸收材料，位于所述顶部窗口材料的下方，所述顶部吸收材料包含铜物质、铟物质、以及硫物质；

顶部第二透明导电氧化物材料，位于所述顶部吸收材料的下方；

第二界面区，位于所述顶部第二透明导电氧化物材料和所述顶部吸收材料之间，所述第二界面区基本上没有从所述顶部第一透明导电氧化物材料扩散到所述顶部吸收材料中的一种或多种物质；以及

底部电池，包括：

底部第一透明导电氧化物材料；

底部窗口材料，位于所述第一底部透明导电氧化物材料的下方；

底部吸收材料，位于所述底部窗口材料的下方；以及

底部电极材料，位于所述底部吸收材料的下方；

耦合材料，位于所述顶部电池和所述底部电池之间，所述耦合材料在所述顶部电池和所述底部电池之间没有寄生结。

2.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述第一透明导电氧化物材料选自由氧化铟锡(ITO)、铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)、或氟掺杂的氧化锡(SnO₂:F)组成的组。

3.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述顶部窗口材料选自：硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)、或氧化锌镁(ZnMgO)。

4.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述顶部吸收材料选自：铜铟二硫化物(CIS)、铜铟铝二硫化物、铜铟镓二硫化物(CIGS)、或(Ag，Cu)(In，Ga)S₂。

5.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述顶部第二透明导电氧化物选自：硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)、或氧化锌镁(ZnMgO)。

6.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述底部第一透明导电氧化物选自：硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)、或氧化锌镁(ZnMgO)。

7.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述底部窗口材料选自：硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)、或氧化锌镁(ZnMgO)。

8.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述底部电极材料选自透明导电氧化物材料或金属材料。

9.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述底部吸收材料选自：铜铟二硫化物薄膜材料、铜铟铝二硫化物薄膜材料、或铜铟镓二硫化物材料。

10.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述底部吸收材料选自：Cu₂SnS₃、Cu(In，Ga)Se₂、CuInSe₂、或FeSi₂。

11.一种串联光伏电池，包括：

双面顶部电池，包括：

顶部第一TCO材料；

顶部窗口材料，位于所述顶部第一TCO材料的下方；

顶部吸收材料，位于所述顶部窗口材料的下方，所述顶部吸收材料包含铜物质、铟物质、以及硫物质；

顶部第二TCO材料，位于所述顶部吸收材料的下方；以及底部电池，包括：

底部第一TCO材料；

底部窗口材料，位于所述第一底部TCO材料的下方；

底部吸收材料，位于所述底部窗口材料的下方；以及

底部电极材料，位于所述底部吸收材料的下方；

耦合材料，位于所述顶部电池和所述底部电池之间，所述耦合材料在所述顶部电池和所述底部电池之间没有寄生结。

12.根据权利要求11所述的光伏电池，其中，所述第一透明导电氧化物材料选自由氧化铟锡(ITO)、铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)、或氟掺杂的氧化锡(SnO₂:F)组成的组。