[发明专利]编程存储器装置以增加数据可靠性有效

专利信息
申请号: 200980137043.1 申请日: 2009-09-22
公开(公告)号: CN102160121A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/10;G11C16/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 编程 存储器 装置 增加 数据 可靠性
【权利要求书】:

1.一种用于编程存储器阵列的方法,所述方法包含:

确定待编程的数据的目标可靠性;及

将所述数据编程到所述存储器阵列的区域中,其中所述区域是响应于所述目标可靠性而确定的。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述区域包含所述阵列的邻近于所述阵列的漏极侧且邻近于所述阵列的源极线的存储器单元。

3.根据权利要求1所述的方法,其中编程包含产生具有初始编程电压的至少一个编程脉冲,且使任何后续编程脉冲在先前编程脉冲上增加步长电压。

4.根据权利要求3所述的方法,其中每一后续编程脉冲之前是检验脉冲。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述区域包含耦合到所述阵列的顶部存取线的存储器单元及耦合到所述阵列的底部存取线的存储器单元。

6.根据权利要求1所述的方法,其中响应于待编程的数据的类型而确定所述目标可靠性。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述数据的类型包含图像数据及程序代码中的者。

8.根据权利要求1所述的方法,其中确定包含接收对应于所述目标可靠性的指示的用户输入。

9.根据权利要求1所述的方法,且其进一步包含:

确定所述存储器阵列的高位错误率区域;

确定待编程到所述存储器阵列的数据的类型;及

将所述数据编程到所述存储器阵列的区域,其中所述区域是至少部分地响应于所述高位错误率区域及所述数据的类型而确定的。

10.根据权利要求9所述的方法,其中确定所述高位错误率区域包含对所述存储器阵列执行经验性测试以确定哪些存储器单元无法准确地保持电荷。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述经验性测试包含对所述存储器阵列的一系列写入及读取操作。

12.根据权利要求10所述的方法,其中所述经验性测试包含确定所述存储器阵列的区域可被编程到目标阈值电压的准确程度。

13.根据权利要求9所述的方法,其中编程所述数据包含将图像数据编程到所述存储器阵列的具有相对高位错误率的区域且将程序代码数据编程到所述存储器阵列的具有相对低位错误率的区域。

14.根据权利要求9所述的方法,且其进一步包含检验所述数据的所述编程。

15.一种非易失性存储器装置,其包含:

存储器阵列,其具有相对低可靠性的存储器单元区域;及

存储器控制电路,其用于控制所述存储器装置的操作,所述存储器控制电路经配置以用具有相对低目标可靠性的数据来编程所述相对低可靠性的存储器单元区域。

16.根据权利要求15所述的存储器装置,其中所述存储器阵列包含NAND架构。

17.根据权利要求15所述的存储器装置,其中所述存储器控制电路进一步经配置以将具有相对高目标可靠性的数据编程到除所述相对低可靠性区域以外的存储器单元区域。

18.根据权利要求17所述的存储器装置,其中所述具有所述相对低目标可靠性的存储器单元区域包含具有高位错误率的存储器单元。

19.一种存储器系统,其包含:

系统控制器,其用于借助存储器信号控制所述存储器系统的操作;及

存储器装置,其耦合到所述系统控制器且响应于所述存储器信号而操作,所述存储器装置包含:

非易失性存储器单元阵列,其具有:第一存储器单元群组,其具有相对低可靠性;及第二存储器单元群组,其具有相对高可靠性;及

存储器控制电路,其耦合到所述存储器单元阵列且经配置以接受待编程的数据的类型,并响应于所述数据的类型及所述存储器单元群组的所述相对可靠性两者而产生编程信号以将所述数据编程到所述第一存储器单元群组或所述第二存储器单元群组中的一者中。

20.根据权利要求19所述的存储器系统,其中存储器控制电路进一步经配置以将图像数据编程到所述第一存储器单元群组中且将代码数据编程到所述第二存储器单元群组中。

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