[发明专利]利用保护性侧壁钝化的磁性元件

权利要求书

1.一种包含磁性隧道结(MTJ)元件的设备，其包含：

第一铁磁性层；

第二铁磁性层；

绝缘层，其安置于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间；以及

MTJ钝化层，其形成邻近于所述第一铁磁性层、所述第二铁磁性层和所述绝缘层而安置的保护性侧壁。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述MTJ钝化层是由电介质材料形成。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述MTJ钝化层是由碳化硅形成。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述MTJ钝化层是以在约5nm到约100nm的范围中的给定厚度形成。

5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：

辅助屏蔽层，其邻近于所述MTJ钝化层而安置以用于对所述MTJ元件进行磁屏蔽。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述辅助屏蔽层是由高磁导率材料形成。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述辅助屏蔽层是由坡莫合金形成。

8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：

绝缘层，其邻近于所述MTJ钝化层而安置。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述绝缘层是由碳化物、氮化物或氧化物形成。

10.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：

辅助屏蔽层，其邻近于所述MTJ钝化层而安置以用于对所述MTJ元件进行磁屏蔽；以及

绝缘层，其邻近于所述辅助屏蔽层而安置。

11.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：

整体钝化层，其安置于所述设备的金属层之间且由碳化物、氮化物或氧化物形成。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备为自旋转移力矩磁性随机存取存储器(STT-MRAM)。

13.一种形成包括磁性隧道结(MTJ)元件的MTJ装置的方法，其包含：

形成第一铁磁性层；

形成第二铁磁性层；

形成安置于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的绝缘层；以及

形成邻近于所述第一铁磁性层、所述第二铁磁性层和所述绝缘层安置的保护性侧壁的MTJ钝化层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中由电介质材料形成所述MTJ钝化层。

15.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：

邻近于所述MTJ钝化层而形成辅助屏蔽层以对所述MTJ元件进行磁屏蔽。

16.根据权利要求15所述的方法，其中由高磁导率材料形成所述辅助屏蔽层。

17.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：

邻近于所述MTJ钝化层而形成绝缘层。

18.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：

邻近于所述MTJ钝化层而形成辅助屏蔽层以对所述MTJ元件进行磁屏蔽；以及

邻近于所述辅助屏蔽层而形成绝缘层。

19.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：

在所述MTJ装置的金属层之间形成碳化物、氮化物或氧化物的整体钝化层。

20.一种包含磁性隧道结(MTJ)元件的设备，其包含：

第一铁磁性层；

第二铁磁性层；

绝缘层，其安置于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间；以及

MTJ钝化装置，其邻近于所述第一铁磁性层、所述第二铁磁性层和所述绝缘层而安置，以用于至少部分地使所述MTJ元件与干扰电隔离和磁隔离。

21.根据权利要求20所述的设备，其进一步包含：

辅助屏蔽装置，其邻近于MTJ钝化层而安置以用于对所述MTJ元件进行磁屏蔽。

22.根据权利要求21所述的设备，其中所述辅助屏蔽装置具有高磁导率。

23.根据权利要求20所述的设备，其进一步包含：

绝缘装置，其邻近于所述MTJ钝化装置而安置。