[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包含基板和在上述基板上形成的薄膜晶体管和二极管，

上述二极管具备：

栅极电极，其形成于基板上；

栅极绝缘层，其形成于上述栅极电极上；

至少1个半导体层，其形成于上述栅极绝缘层上，具有第1区域和第2区域；

第1电极，其设置在上述第1区域上，与上述第1区域和上述栅极电极电连接；以及

第2电极，其设置在上述第2区域上，与上述第2区域电连接，

上述至少1个半导体层具有隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极重叠的沟道区域和隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极不重叠的电阻区域，

在上述二极管的导通状态下，在上述第1电极和上述第2电极之间形成包含上述沟道区域和上述电阻区域的电流路径。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述二极管还具备形成于上述基板和上述栅极绝缘层之间的与上述栅极电极分离的导电层，

上述电阻区域以隔着上述栅极绝缘层与上述导电层重叠的方式配置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述至少1个半导体层是包含具有上述第1区域的第1半导体层和具有上述第2区域的第2半导体层的多个半导体层，

上述二极管还具备串联连接上述多个半导体层的至少1个中间电极，

上述多个半导体层包含与上述栅极电极不重叠的半导体层。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述至少1个半导体层包含具有上述第1区域和第2区域、上述沟道区域以及上述电阻区域的1个半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

上述二极管还具备配置在与上述栅极电极相比更靠上述第2电极侧的其他栅极电极，

上述1个半导体层还包含配置在与上述沟道区域相比更靠上述第2电极侧的其他沟道区域，

上述其他沟道区域隔着上述栅极绝缘层与上述其他栅极电极重叠，

上述电阻区域位于上述沟道区域和上述其他沟道区域之间。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，

上述1个半导体层在上述沟道区域和上述电阻区域之间还包含中间区域，

上述二极管还具备设置在上述中间区域上的与上述中间区域电连接的中间电极。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置，

上述至少1个半导体层和上述薄膜晶体管的半导体层由同一半导体膜形成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

上述至少1个半导体层和上述薄膜晶体管的半导体层由具有结晶相和非结晶相的微晶硅膜形成。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

上述非结晶相在上述微晶硅膜中占的体积率为5％以上95％以下。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，

上述非结晶相在上述微晶硅膜中占的体积率为5％以上40％以下。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述至少1个半导体层包含金属氧化物半导体。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的半导体装置，

还具备包含在上述基板上按格子状排列的栅极总线和源极总线的多个总线，

上述二极管的上述第1电极与上述多个总线中的任意1条电连接，上述第2电极与上述多个总线中的其他的1条电连接。

13.根据权利要求1至11中的任一项所述的半导体装置，

具备在上述基板上设置的具有多个像素的显示区域和在上述基板中的上述显示区域以外的区域设置的驱动电路，

上述驱动电路包含上述薄膜晶体管和上述二极管。