[发明专利]借助于预选中间体的高速薄膜沉积

权利要求书

1.一种形成薄膜材料的方法，包括：

提供沉积室，

输送第一中间体至所述沉积室，所述第一中间体包括第一亚稳定的物类，所述第一中间体在所述沉积室的外部形成；以及

在所述沉积室中形成第一薄膜材料，所述薄膜材料包括由所述第一亚稳定的物类提供的元素。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一亚稳定的物类包括中性基。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一亚稳定的物类包括硅。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述第一亚稳定的物类包括SiH₃。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一亚稳定的物类包括锗。

7.如权利要求3所述的方法，其中，所述第一亚稳定的物类包括SiF₃。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一中间体仅包括一种亚稳定的物类。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一中间体仅包括两种亚稳定的物类。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一中间体还包括稀释气。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述稀释气包括氢。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一薄膜材料包含非晶区。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一薄膜材料还包含纳米晶体区。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述非晶区包括硅。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述非晶区还包括氢。

16.如权利要求14所述的方法，其中，所述非晶区还包括锗。

17.如权利要求13所述的方法，其中，所述纳米晶体区包括硅。

18.如权利要求1所述的方法，还包括将氢添加剂输送至所述沉积室。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述第一薄膜材料包括氢，所述氢由所述氢添加剂提供。

20.如权利要求19所述的方法，其中，所述第一薄膜材料包括氢化非晶硅、氢化纳米晶体硅或氢化微晶硅。

21.如权利要求1所述的方法，还包括将氟添加剂输送至所述沉积室。

22.如权利要求21所述的方法，其中，所述氟添加剂选自由F₂、HF、SiF_xH_4-x(x＝1-4)和GeF_xH_4-x(x＝1-4)组成的组。

23.如权利要求21所述的方法，其中，所述第一薄膜材料包括氟，所述氟由所述氟添加剂提供。

24.如权利要求23所述的方法，其中，所述第一薄膜材料包括氟化非晶硅、氟化纳米晶体硅或氟化微晶硅。

25.如权利要求1所述的方法，还包括将载气输送至所述沉积室。

26.如权利要求25所述的方法，其中，将所述载气以跨声速的速度输送至所述沉积室。

27.如权利要求25所述的方法，还包括将所述载气与所述第一中间体结合，所述载气的动量将所述第一中间体引导至布置在所述沉积室中的基底，所述第一薄膜材料在所述基底上形成。

28.如权利要求25所述的方法，还包括从所述载气形成等离子体，所述等离子体在所述沉积室的等离子体激活区中形成，所述等离子体激活区包括用于产生等离子体的装置。

29.如权利要求28所述的方法，还包括将所述载气等离子体引导至布置在所述沉积室中的基底，所述基底定位在所述等离子体激活区的外部，所述载气退出所述等离子体激活区并且在所述引导步骤期间去活。

30.如权利要求29所述的方法，还包括将所述第一中间体与所述去活的载气结合。

31.如权利要求1所述的方法，其中，所述沉积室包括基底，所述第一薄膜材料在所述基底上形成。