[发明专利]陶瓷材料、制备陶瓷材料的方法以及含该陶瓷材料的电陶瓷构件

权利要求书

1. 下列通式的陶瓷材料：

[SE_1-xM^II_x][Cr_1-y-zR_yL_z]O₃

其中，SE是一种或多种稀土金属，M^II是一种或多种氧化价为+II的金属，L是Al和/或Ga，R是一种或多种选自Fe、Zn、Ge和Sn的金属，且满足：0 < x < 1；0 < y < 1；0.5 < z < 1；y+z < 1。

2. 权利要求1的陶瓷材料，其中，SE是一种或多种选自Y、Ce、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb和Lu的元素。

3. 上述权利要求之一的陶瓷材料，其中，M^II是一种或多种选自Mg、Ca、Sr和Ba的元素。

4. 权利要求1的陶瓷材料，其中，R是Fe或包含Fe的金属组合。

5. 权利要求1的陶瓷材料，其中，R是Zn或包含Zn的金属组合。

6. 权利要求1的陶瓷材料，其中，R是Ge或包含Ge的金属组合。

7. 权利要求1的陶瓷材料，其中，R是Sn或包含Sn的金属组合。

8. 上述权利要求之一的陶瓷材料，其中，参数x满足：0.03 ≤ x ≤ 0.5。

9. 上述权利要求之一的陶瓷材料，其中，参数y满足：0 < y < 0.5。

10. 上述权利要求之一的陶瓷材料，其中，参数z满足：0.5 < z < 0.9。

11. 上述权利要求之一的陶瓷材料，其中，参数y和z满足：0.05 < (1-y-z) < 0.25。

12. 上述权利要求之一的陶瓷材料，作为通式ABO₃的均相的钙钛矿-混晶体系形成。

13. 上述权利要求之一的陶瓷材料，其中，该陶瓷材料具有负温度系数。

14. 用于制备上述权利要求之一的陶瓷材料的方法，其包括下列方法步骤：

A) 混合下列化合物：SE₂O₃、M^IICO₃、Cr₂O₃、L₂O₃和还有任选的R的氧化物，以形成混合物，

B) 烧结在A)中所制成的混合物。

15. 电陶瓷构件，包含权利要求1-13之一的陶瓷材料。

16. 权利要求15的电陶瓷构件，包含：

- 陶瓷基体(2)，

- 配置在该陶瓷基体(2)表面上的两个导电接触面(10，15)。