[发明专利]改进的线栅衬底结构和用于制造这种衬底的方法无效
| 申请号: | 200980135215.1 | 申请日: | 2009-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN102150033A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
| 发明(设计)人: | N·N·卡亚;D·J·W·克伦德 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/55 | 分类号: | G01N21/55;G01N21/64;G01N33/551;G01N33/58 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 谢建云;刘鹏 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 改进 衬底 结构 用于 制造 这种 方法 | ||
1. 一种用在将用激发光照射的传感器中的多层衬底结构,包括:
至少一个载体层(11),
第一层(12),所述载体层和第一层彼此接触,以及
至少一个第二层(13),其具有不同于该第一层的化学成分,所述第一层和第二层彼此接触,该第二层形成若干开孔,每个开孔具有至少一个小于衍射极限的面内尺度(W1),该衍射极限由该激发光的辐射波长限定。
2. 根据权利要求1的衬底结构,其中该载体层和该第一层对于该激发光是基本可透过的。
3. 根据权利要求1和2中任一项的衬底结构,其中该第一层具有5nm到10nm的厚度。
4. 根据权利要求1至3中任一项的衬底结构,其中该第一层包括惰性金属。
5. 根据权利要求1至4中任一项的衬底结构,其中该第二层基本上由铝、氧化铝或其组合形成。
6. 根据权利要求1至5中任一项的衬底结构,其中该第一层被化学改性以促进分子目标固定。
7. 根据权利要求6的衬底结构,其中该第一层的表面用硫醇基功能化。
8. 根据权利要求1至7中任一项的衬底结构,其中该第一层的表面用分子配体功能化。
9. 根据权利要求7或8中任一项的衬底结构,其中该第二层未被功能化。
10. 一种发光传感器,其包括根据权利要求1的多层衬底结构、用于照射该传感器的激发辐射源(31)和用于检测发光辐射的检测器(32)。
11. 一种用于制造根据权利要求1至9中任一项的衬底结构的方法,包括以下步骤:
提供载体层(11),
在该载体层的顶部上添加第一层(12),
在该第一层的顶部上添加第二层(13)
通过图案化所述第二层限定具有至少一个小于衍射极限的面内尺度(W1)的若干开孔。
12. 根据权利要求11的方法,其中该第一层和或第二层经由蒸发被添加。
13. 根据权利要求11和12中任一项的方法,其中该第一层被化学改性以促进捕获探针结合。
14. 根据权利要求1至9中任一项的衬底结构或者根据权利要求10的发光传感器用于检测目标分子的用途。
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