[发明专利]相变记忆材料

权利要求书

1.一种制品，其包含：

a.包含具有至少一种六方相的组合物的晶化薄膜；或

b.在晶化形式下能具有至少一种六方相的可晶化组合物。

2.如权利要求1所述的制品，其特征在于，按原子百分比计，所述组合物包含以下组分：

5-45的Ge；

5-40的As，或者As和Sb的组合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

45-65的Te。

3.如权利要求2所述的制品，其特征在于，按原子百分比计，所述组合物包含以下组分：

10-30的Ge；

15-30的As，或者As和Sb的组合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

50-60的Te。

4.如权利要求2所述的制品，其特征在于，所述组合物进一步包含Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其组合。

5.如权利要求2所述的制品，其特征在于，所述Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其组合的原子百分比等于或小于20％。

6.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其组合的原子百分比等于或小于15％。

7.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述薄膜设置在基材上。

8.如权利要求7所述的制品，其特征在于，所述基材包括玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、聚合物、金属或其组合。

9.一种方法，其包括：

提供包含相变记忆无定型材料的薄膜；和

将该相变记忆无定型材料转化成六方晶相。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述将相变记忆无定型材料转化成六方晶相的步骤包括加热。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，按原子百分比计，所述相变记忆无定型材料包含以下组分：

5-45的Ge；

5-40的As，或者As和Sb的组合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

45-65的Te。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，按原子百分比计，所述组合物包含以下组分：

10-30的Ge；

15-30的As，或者As和Sb的组合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

50-60的Te。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述相变记忆无定型材料还包含Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其组合。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其组合的原子百分比等于或小于20％。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其组合的原子百分比等于或小于15％。

16.一种方法，其包括：

提供包含具有六方晶相的相变记忆材料的薄膜；和

将该六方晶相转化成无定型相。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述将具有六方晶相的相变记忆材料转化成无定型相的步骤包括加热。

18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，按原子百分比计，所述相变记忆材料包含以下组分：

5-45的Ge；

5-40的As，或者As和Sb的组合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

45-65的Te。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，按原子百分比计，所述相变记忆材料包含以下组分：

10-30的Ge；

15-30的As，或者As和Sb的组合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

50-60的Te。

20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述相变记忆材料还包含Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其组合。