[发明专利]用于具有集成能量存储器件的集成电路的方法和装置

说明书

背景技术

如本领域所公知的，存在对于特定应用有用的各种传感器。例如，磁传感器对于检测感兴趣对象的移动，例如旋转是有用的。传感器器件可以包括提供到用于向器件上的电路供电的调节器的电源电压。电压供应的小规模功率中断能够导致器件的不稳定输出状态。

发明内容

本发明的示例性实施例提供用于集成电路的方法和装置，所述集成电路具有集成功率存储元件以在相对小的功率中断期间维持所述集成电路的输出。利用这种设置，可以在由于松散的线路、连接、用户操控、振动等等导致的功率中断存在时维持传感器/器件的输出状态。尽管结合某些电路、传感器和配置表示和描述了本发明的示例性实施例，但是应理解的是，本发明的实施例可用于通常期望在电源电压中断期间维持功率的集成电路。

在本发明的一个方面中，一种集成电路包括：传感器，用于提供传感器输出；集成电路模块，至少部分地形成在衬底上以接收所述传感器输出并且提供IC输出信号；输出电路，具有用于经由开关元件接收电压供应信号的电压输入端、用于接收所述IC输出信号的信号输入端以及用于提供电压输出信号的输出端；以及集成功率存储元件，耦合到所述输出电路的所述电压输入端以在所述电压供应信号的中断期间提供功率，其中所述功率存储元件包括通常与所述衬底平行的至少一层。

所述集成电路可以进一步包括下面特征中的一个或者多个：所述至少一层包括通常与所述衬底平行的第一和第二导电层以及设置在所述第一和第二导电层之间的电介质层，使得所述第一和第二导电层以及所述电介质层形成电容器，其中所述集成功率存储元件包括所述电容器，所述集成功率存储元件包括形成在所述至少一层中用于形成电感器的线圈，用于接收电源电压并且向所述输出电路提供经调节的输出电压的电压调节器，在所述第一和第二导电层中邻近磁场传感器的至少一层中形成槽，以用于降低所述第一和第二导电层中的涡电流，所述槽包括所述第一导电层中的第一槽以及所述第二导电层中的第二槽，其中所述第一和第二槽具有不同的几何形状，所述槽包括所述第一导电层中的第一槽以及所述第二导电层中的第二槽，其中所述第一和第二槽具有基本上类似的几何形状，所述传感器包括霍尔元件，所述传感器包括磁阻元件，所述电容器与所述衬底的至少百分之三十的面积重叠，并且所述电容器在大约1.0平方毫米中提供从大约50pF到大约500pF的电容。

在本发明的另一方面中，一种方法包括：提供用于提供传感器输出的传感器；提供集成电路模块，所述集成电路模块至少部分地形成在衬底上以接收所述传感器输出并且提供IC输出信号；提供输出电路，所述输出电路具有用于经由开关元件接收电压供应信号的电压输入端、用于接收所述IC输出信号的信号输入端以及用于提供电压输出信号的输出端；并且提供集成功率存储元件，所述集成功率存储元件耦合到所述输出电路的所述电压输入端以在所述电压供应信号的中断期间提供功率，其中所述功率存储元件包括通常与所述衬底平行的至少一层。

所述方法可以包括下面特征中的一个或者多个：所述至少一层包括通常与所述衬底平行的第一和第二导电层以及设置在所述第一和第二导电层之间的电介质层，使得所述第一和第二导电层以及所述电介质层形成电容器，其中所述集成功率存储元件包括所述电容器，所述集成功率存储元件包括形成在所述至少一层中用于形成电感器的线圈，用于接收电源电压并且向所述输出电路提供经调节的输出电压的电压调节器，在所述第一和第二导电层中邻近磁场传感器的至少一层中形成槽，以用于降低所述第一和第二导电层中的涡电流，所述槽包括所述第一导电层中的第一槽以及所述第二导电层中的第二槽，其中所述第一和第二槽具有不同的几何形状，所述槽包括所述第一导电层中的第一槽以及所述第二导电层中的第二槽，其中所述第一和第二槽具有基本上类似的几何形状，所述传感器包括霍尔元件，所述传感器包括磁阻元件，所述电容器与所述衬底的至少百分之三十的面积重叠，并且所述电容器在大约1.0平方毫米中提供从大约150pF到大约400pF的电容。

在本发明的另一方面中，一种车辆包括：传感器，用于提供传感器输出；集成电路模块，所述集成电路模块至少部分地形成在衬底上以接收所述传感器输出并且提供IC输出信号；输出电路，所述输出电路具有用于经由开关元件接收电压供应信号的电压输入端、用于接收所述IC输出信号的信号输入端以及用于提供电压输出信号的输出端；以及集成功率存储元件，所述集成功率存储元件耦合到所述输出电路的所述电压输入端以在所述电压供应信号的中断期间提供功率，其中所述功率存储元件包括通常与所述衬底平行的至少一层。

附图说明