[发明专利]磁控溅射阴极和成膜装置

权利要求书

1.一种磁控溅射阴极，其特征在于，包括：

磁轭，具有表面和中央区域，且为平板状；

磁路，具有在所述磁轭的所述中央区域直线状地配置的中央磁铁部、在所述中央磁铁部的周围配置的周边磁铁部和在所述中央磁铁部和所述周边磁铁部之间配置的辅助磁铁部，并具有所述中央磁铁部、所述周边磁铁部和所述辅助磁铁部相互平行的平行区域，并设置在所述磁轭的所述表面；和

背衬板，与所述磁路重叠配置，

配置所述中央磁铁部、所述周边磁铁部和所述辅助磁铁部，以使所述中央磁铁部、所述周边磁铁部和所述辅助磁铁部的各前端部的极性在相邻的磁铁部之间不同，

在纵切所述平行区域中的所述中央磁铁部、所述周边磁铁部和所述辅助磁铁部的方向，即与所述中央磁铁部延伸的方向垂直的轴向上，从所述中央磁铁部向着所述周边磁铁部，自所述背衬板的上方观测的磁场分布被设定为，所述背衬板的平行面上的水平方向的磁通密度以对应于所述中央磁铁部的位置为界限，在第一区域为正值，在第二区域为负值。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射阴极，其特征在于，所述水平方向的磁通密度值的正负符号在所述周边磁铁部的附近颠倒。

3.根据权利要求1或2所述的磁控溅射阴极，其特征在于，所述背衬板的平行面上的垂直方向的磁通密度以对应于所述中央磁铁部的位置为界限对称，

所述第一区域和所述第二区域分别具有三个所述垂直方向的磁通密度为0的点。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的磁控溅射阴极，其特征在于，所述水平方向的磁通密度的最大强度为100高斯以上且600高斯以下。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的磁控溅射阴极，其特征在于，包括调整所述背衬板和所述磁路的距离的控制装置。

6.一种成膜装置，其特征在于，包括权利要求1至5中任意一项所述的磁控溅射阴极。