[发明专利]有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机、有源矩阵基板的制造方法有效
申请号: | 200980132937.1 | 申请日: | 2009-07-15 |
公开(公告)号: | CN102132203A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 津幡俊英 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 液晶面板 液晶显示 单元 液晶 显示装置 电视接收机 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及在1个像素区域内设置多个像素电极的有源矩阵基板以及使用该有源矩阵基板的液晶显示装置(像素分割方式)。
背景技术
为了提高液晶显示装置的γ特性的视角依存性(例如,抑制画面的浮白等),提出如下液晶显示装置:将在1个像素内所设置的多个子像素控制为不同的亮度,通过这些子像素的面积灰度级来显示中间灰度级(像素分割方式,例如,参照专利文献1)。
在专利文献1记载的有源矩阵基板(参照图29)中,在1个像素区域内,3个像素电极121a~121c沿着源极总线115排列,晶体管116的源极电极116s连接到接触电极117a,接触电极117a和控制电极511通过引出配线连接,控制电极511和接触电极117b通过引出配线连接,接触电极117a和像素电极121a通过接触孔120a连接,接触电极117b和像素电极121c通过接触孔120b连接,处于电悬浮的像素电极112b通过绝缘膜与控制电极511重叠,像素电极121b与像素电极121a、121c分别进行电容耦合(电容耦合型像素分割方式)。另外,配置辅助电容电极512,使其与控制电极511在行方向(栅极总线112的延伸方向)上相邻,该辅助电容电极512通过接触孔513连接到像素电极121b。在此,在控制电极511与辅助电容总线113重叠的部分形成像素电极121a、121c和辅助电容总线113之间的保持电容,在辅助电容电极512与辅助电容总线113重叠的部分形成像素电极121b和辅助电容总线113之间的保持电容。
在使用该有源矩阵基板的液晶显示装置中,可以使与像素电极121a、121c对应的各个子像素成为亮子像素,使与像素电极121b对应的子像素成为暗子像素,可以通过这些亮子像素(2个)、暗子像素(1个)的面积灰度级来显示中间灰度级。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“特开2006-39290号公报”(公开日:2006年2月9日)
发明内容
发明要解决的问题
但是,在上述现有有源矩阵基板中,控制电极511与辅助电容电极512在像素区域内在行方向上排列,因此,控制电极511与源极总线115接近。其结果是:控制电极511和源极总线115之间的短路成为有源矩阵基板的制造成品率下降的原因。
本发明的目的在于针对电容耦合型像素分割方式的有源矩阵基板,提高其制造成品率。
用于解决问题的方案
本发明的有源矩阵基板具备:数据信号线,在将扫描信号线的延伸方向设为行方向的情况下,该数据信号线在列方向上延伸;晶体管,其连接到扫描信号线和数据信号线;以及保持电容配线,所述有源矩阵基板的特征在于:在1个像素区域中,设有:第1和第2像素电极;以及与数据信号线形成于同层的第1~第3电容电极,该第1~第3电容电极以隔着第1绝缘膜与保持电容配线重叠的方式按该顺序在行方向上排列,第2电容电极隔着第2绝缘膜与第2像素电极重叠,上述晶体管的一方导通电极、第1像素电极以及第2电容电极(耦合电容电极)电连接,并且第1和第3电容电极分别与第2像素电极电连接。
根据上述结构,在第2电容电极和第2像素电极之间形成耦合电容,并且在第1电容电极和保持电容配线之间、第2电容电极和保持电容配线之间以及第3电容电极和保持电容配线之间分别形成保持电容。
并且,在本有源矩阵基板中,在相邻的2个数据信号线的一方和第2电容电极之间配置第1电容电极,在另一方和第2电容电极之间配置第1电容电极,因此,与现有结构(参照图29)相比,可以不会较大地降低第2像素电极和保持电容配线之间的保持电容的值,而抑制发生数据信号线与第2电容电极(耦合电容电极)的短路。由此,可以提高有源矩阵基板的制造成品率。
在本有源矩阵基板中,也可以采用如下结构:具备连接上述晶体管的一方导通电极与第2电容电极的引出配线,该引出配线与第1像素电极通过接触孔连接,第1电容电极与第2像素电极通过接触孔连接,并且第3电容电极与第2像素电极通过接触孔连接。
在本有源矩阵基板中,也可以采用如下结构:第2绝缘膜是覆盖晶体管的沟道的层间绝缘膜。
在本有源矩阵基板中,也可以采用如下结构:在上述层间绝缘膜中,与第2电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分变薄。
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