[发明专利]细微结构体及其制造方法无效
申请号: | 200980132233.4 | 申请日: | 2009-08-12 |
公开(公告)号: | CN102123941A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 多田靖彦;吉田博史 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;H01L21/3065;C08F297/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 细微 结构 及其 制造 方法 | ||
1.细微结构体的制造方法,其特征在于,具有下列阶段:
将含有至少具有第1链段及第2链段的高分子嵌段共聚物的高分子层在基板表面上配置的第1阶段;以及
使上述高分子层发生微相分离,使由上述第2链段作为成分的连续相与在该连续相的贯穿方向上排列的以上述第1链段作为成分的微畴形成的结构呈现的第2阶段;
上述基板,在形成上述微畴的位置上离散配置,具有与该基板表面的化学性质不同的图案部件,
在上述第1阶段配置的上述高分子层的厚度t,与上述高分子嵌段共聚物形成的微畴的固有周期do的关系为:
(m+0.3)×do<t<(m+0.7)×do
m为0以上的整数。
2.按照权利要求1中所述的细微结构体的制造方法,其特征在于,上述基板表面具有相对第2表面离散配置的第1表面,相对构成上述第1链段的第1原料的第1表面的表面张力比相对构成第2链段的第2原料的第1表面的表面张力小,相对构成第2链段的第2原料的第2表面的表面张力比相对构成第1链段的第1原料的第2表面的表面张力小。
3.按照权利要求1中所述的细微结构体的制造方法,其特征在于,上述微畴的密度与上述图案部件的密度之比为n∶1,上述n为2以上的正数。
4.按照权利要求3中所述的细微结构体的制造方法,其特征在于,上述离散配置的图案部件为规则的排列而成。
5.按照权利要求1中所述的细微结构体的制造方法,其特征在于,上述微畴的结构形成柱状微畴结构。
6.按照权利要求1中所述的细微结构体的制造方法,其特征在于,上述微畴的结构形成片状结构。
7.按照权利要求1中所述的细微结构体的制造方法,其特征在于,上述基板表面中的图案部件的配置是规则的,图案部件的平均周期d为上述微畴的固有周期do的自然数倍。
8.细微结构体,其特征在于,其是采用权利要求1中所述的细微结构体的制造方法制造的。
9.图案基板的制造方法,其特征在于,图案基板制造方法具有:
将含有至少具有第1链段及第2链段的高分子嵌段共聚物的高分子层在基板表面上配置的第1阶段,
使上述高分子层发生微相分离,使由上述第2链段作为成分的连续相与在该连续相的贯穿方向上排列的以上述第1链段作为成分的微畴形成的结构呈现的第2阶段,与
将上述连续相及上述微畴的任何一种选择除去的第3阶段;
上述基板具有:与在形成上述微畴的位置上离散地配置的该基板表面的化学性质不同的图案部件,
在上述第1阶段中配置的上述高分子层的厚度t与上述高分子嵌段共聚物形成的微畴的固有周期do的关系为:
(m+0.3)×do<t<(m+0.7)×do
m为0以上的整数。
10.按照权利要求9所述的图案基板的制造方法,其特征在于,包含将在上述第3阶段后残存的上述连续相或上述微畴作为掩模,蚀刻上述基板的工序。
11.图案基板,其特征在于,其是按照权利要求9所述的图案基板的制造方法进行制造的。
12.图案基板,其特征在于,其是按照权利要求10所述的图案基板的制造方法进行制造的。
13.图案基板,其特征在于,采用按照权利要求12所述的图案基板作为原版,将上述图案基板的图案排列转印而复制。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980132233.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包括中心电极的管状电解电池和相应的方法
- 下一篇:改进型扎带