[发明专利]控制气载污染物跨晶带表面的转移

权利要求书

1.一种生长带状晶体的方法，该方法包括：

提供容纳熔融材料的坩埚；

将丝索穿过所述熔融材料，以生长所述带状晶体；以及

引导所述带状晶体周围的气流，使气体沿着所述带状晶体朝所述坩埚向下流动。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

提供后热器，所述后热器位于所述坩锅上方并且在至少一侧与所述带状晶体邻近，所述后热器具有防护件，所述防护件联接至所述后热器的至少一部分，所述防护件位于所述带状晶体与所述后热器之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述防护件包括石墨、碳化硅、石英、或它们的组合物。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述防护件包括多个片状物，所述多个片状物利用至少一个肋联接至所述后热器。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述至少一个肋在所述带状晶体的边缘附近对齐。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

提供基部绝热体，所述基部绝热体至少在两个侧面包围所述坩锅，所述基部绝热体具有防护件，所述防护件联接至所述基部绝热体的至少一部分，其中，所述防护件位于所述基部绝热体与所述坩锅之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述坩锅包括与所述防护件的一部分邻接的至少一个挡板。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

提供基部绝热体，所述基部绝热体至少在两个侧面包围所述坩锅，所述基部绝热体具有位于所述坩锅下方的至少一个开口，其中，气体向下流过所述坩锅并穿过所述至少一个开口。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

将气体从外部气源引导到所述至少一个开口中。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述基部绝热体具有防护件，所述防护件联接至所述基部绝热体的至少一部分，其中所述防护件位于所述基部绝热体与所述坩锅之间。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括：

提供联接至所述基部绝热体的至少一个挡板，其中，所述气流被引导为向下经过所述至少一个挡板和所述坩锅。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

提供后热器，所述后热器位于所述坩锅上方并且至少在两个侧面与所述带状晶体邻近，所述后热器具有至少一个开口；以及

将气体从外部气源引导到所述至少一个开口中，其中，朝向所述带状晶体引导所述气体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述后热器具有防护件，所述防护件联接至所述后热器的至少一部分，所述防护件位于所述带状晶体与所述后热器之间。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括：

提供气体密封件，所述气体密封件联接至所述后热器并与所述带状晶体邻近，其中，所述气流基本上朝向所述坩锅离开所述气体密封件。

15.根据权利要求1所述的方法，还包括：

提供壳体，所述壳体包围所述坩锅和所述带状晶体的一部分；以及

提供防护件，所述防护件联接至所述壳体的至少一部分，其中，所述防护件与所述带状晶体的一部分邻近。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

提供气体密封件，所述气体密封件联接至所述壳体并且与所述带状晶体邻近，所述气体密封件具有至少一个开口；以及

将气体从外部气源引导到所述至少一个开口中，其中，气体被朝向所述带状晶体引导，并且气流基本上在所述带状晶体与所述防护件之间沿着所述防护件离开所述气体密封件。

17.一种带状晶体生长系统，包括：

坩埚，所述坩埚用于容纳熔融材料；

基部绝热体，所述基部绝热体至少在两个侧面包围所述坩锅，所述基部绝热体具有位于所述坩锅下方的至少一个开口；以及

气体系统，所述气体系统通过所述至少一个开口提供来自外部气源的气体，使得气体向下流过所述坩锅并穿过所述至少一个开口。

18.根据权利要求17所述的带状晶体生长系统，其中，所述基部绝热体具有防护件，所述防护件联接至所述基部绝热体的至少一部分，其中，所述防护件位于所述基部绝热体与所述坩锅之间。