[发明专利]具有实时在线IV测量的卷对卷连续式薄膜PV制造工艺及设备

权利要求书

1.一种真空沉积装置，包括：

一基板载入腔室和一基板复卷腔室；

一基板支撑系统，从基板载入腔室延伸至基板复卷腔室；

一高气压真空沉积腔室；

一低气压真空沉积腔室；及

一气压差分工艺隔离单元(DPIU)，其安置在该高气压真空沉积腔室与该低气压真空沉积腔室之间。

2.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中该高气压真空沉积腔室为一半导体沉积腔室。

3.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中该低气压真空沉积腔室为一透明导电薄膜薄膜沉积腔室。

4.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中该高气压真空沉积腔室经相应配置沉积薄膜硅或薄膜硅合金。

5.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中该低气压真空沉积腔室经相应配置沉积铟锡氧化物薄膜。

6.如权利要求1所述的真空沉积装置还包括一实时在线测量腔室。

7.如权利要求6所述的真空沉积装置，其中该实时在线测量系统位于该低气压真空沉积腔室与该基板复卷腔室之间。

8.如权利要求6所述的真空沉积装置，其中该实时在线测量系统包括一电流-电压测量系统。

9.如权利要求6所述的真空沉积装置，其中该实时在线测量系统包括一电池刻蚀隔离系统。

10.如权利要求9所述的真空沉积装置，其中该电池刻蚀隔离系统包括一激光刻蚀机。

11.如权利要求6所述的真空沉积装置，其中该高气压真空沉积腔室、该低气压真空沉积腔室、该DPIU及该实时在线测量腔室安置在该基板载入腔室与该基板复卷腔室之间。

12.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中该DPIU经配置维持该高气压真空沉积腔室与该低气压真空沉积腔室之间的一气压差。

13.如权利要求1所述的真空沉积装置，进一步还包括一背反射体沉积腔室。

14.如权利要求1所述的真空沉积装置，进一步还包括一等离子体清洗腔室。

15.一种在一基板之上形成一薄膜的装置，包括：

一基板载入腔室，其经配置展开载入该基板；

一第一反应区间，其经配置在该基板之上形成一半导体薄膜；

一第二反应区间，其经配置在该半导体膜上形成一透明导导电膜；

一气压差分工艺隔离单元(DPIU)，其安置在该第一反应区间与该第二反应区间之间，该DPIU经配置维持该第一反应区间与该第二反应区间之间的气压差；

一基板复卷腔室，其用于复卷收集该基板；及

一基板支撑系统，其经配置支撑该基板从该基板载入腔室移至该第一反应区间，从该第一反应区间移至该第二反应区间，并从该第二反应区间移至该基板复卷腔室。

16.如权利要求15所述的装置，其中该第一反应区间经配置经由等离子体增强化学气相沉积在该基板之上形成该半导体薄膜。

17.如权利要求15所述的装置，进一步还包括一实时在线测量腔室。

18.如权利要求17所述的装置，其中该实时在线测量腔室安置在该第二反应区间与该基板复卷腔室之间。

19.如权利要求15所述的装置，其中该第一反应区间经配置在该基板之上沉积一薄膜硅或薄膜硅合金。

20.如权利要求15所述的装置，其中该第二反应区间经配置在该基板之上沉积铟锡氧化物。

21.如权利要求15所述的装置，该第一反应区间经配置在该基板之上形成一p-掺杂或n-掺杂半导体薄膜之一。

22.如权利要求21所述的装置，进一步还包括介于该第一反应区间与该DPIU之间的一第三反应区间，该第三反应区间经配置在该基板之上形成一本征半导体薄膜。

23.如权利要求22所述的装置，进一步包括介于该第三反应区间与该DPIU之间的一第四反应区间，该第四反应区间经配置在该基板之上形成该p-掺杂或n-掺杂半导体薄膜中的另一种。