[发明专利]硅蚀刻液和蚀刻方法无效
| 申请号： | 200980129912.6 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102113098A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 矢口和义;外赤隆二 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
1.一种硅蚀刻液，其特征在于，该硅蚀刻液各向异性地溶解单晶硅，其是含有(A)四甲基氢氧化铵、(B)羟基胺、以及(C)二氧化碳(CO2)和/或四甲基碳酸铵盐的、pH值13以上的碱性水溶液。
2.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其中，(C)四甲基碳酸铵盐为选自四甲基碳酸铵〔{(CH3)4N}2CO3〕、及四甲基碳酸氢铵〔{(CH3)4N}HCO3〕中的1种以上。
3.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其中，硅蚀刻液中所含的源于(A)四甲基氢氧化铵及(C)四甲基碳酸铵盐的四甲基铵离子{(CH3)4N+}的量为每1kg硅蚀刻液平均在1.0mol～2.4mol的范围内，且源于(C)二氧化碳(CO2)及四甲基碳酸铵盐的碳酸根离子(CO32-)及碳酸氢根离子(HCO3-)的总计量相对于四甲基铵离子的量的摩尔比在0.28～0.42的范围。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅蚀刻液，其pH值为13.3以上。
5.一种硅蚀刻方法，其特征在于，该硅蚀刻方法各向异性地溶解单晶硅，且使用含有(A)四甲基氢氧化铵、(B)羟基胺、及(C)二氧化碳(CO2)和/或四甲基碳酸铵盐的、pH值13以上的碱性水溶液。
6.根据权利要求5所述的硅蚀刻方法，其具有使前述碱性水溶液与蚀刻对象物接触的工序。
7.根据权利要求5或6所述的硅蚀刻方法，其中，(C)四甲基碳酸铵盐为选自四甲基碳酸铵〔{(CH3)4N}2CO3〕、及四甲基碳酸氢铵〔{(CH3)4N}HCO3〕中的1种以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
