[发明专利]封装MEMS-晶片的方法和MEMS-晶片

权利要求书

1.用于封装具有至少一个机械功能元件（10）的MEMS-晶片（1），特别是传感器和/或动作器晶片的方法，其特征在于，可运动的机械功能元件（10）借助消耗层（14）固定；并且将盖顶层（19）施加到，特别是外延生长到消耗层（14）上，和/或至少一个施加到消耗层（14）上的中间层（17）上。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在施加消耗层（14）以及盖顶层（19）之前MEMS-晶片（1）没有金属化。

3.按照权利要求1或2的任一项所述的方法，其特征在于，在封装工序之前检查功能元件（10）的功能能力。

4.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，特别是借助LPCVD或者PECVD方法将消耗层（14）作为硅-锗层施加。

5.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，盖顶层（19）由单晶硅和/或多晶硅构成。

6.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，在至少一个中间层（17）上形成扩散阻挡层，优选地HTO层。

7.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，在施加盖顶层（19）之前将所述至少一个中间层（17）特别是如此地进行结构化，即显露出MEMS-晶片（1）的至少一个以后应电接触的区域（8、9、13）。

8.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，优选地借助CMP使盖顶层（19）平坦化。

9.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，优选地如此地使盖顶层（19）结构化，优选地开槽，即优选地部段地使消耗层（14）显露出。

10.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，优选地借助ClF₃气体腐蚀工艺优选地如此方式地至少部分地拿掉消耗层（14），即功能元件（10）又能运动。

11.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，优选地借助SIC沉积工艺优选地如此方式地施加防附着层（23），即用防附着层（23）盖住功能元件（10）。

12.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，例如通过ASC-沉积将闭锁层（24）施加到盖顶层（19）上。

13.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，通过将封装方法期间的系统压力或者通过气体扩散进行至少一个通过拿掉消耗层（14）形成的空穴（4、22）中的压力调节。

14.按照前述权利要求的任一项所述的方法，其特征在于，为了接触MEMS晶片（1）将至少一个金属化部（25）施加到优选的结构化的闭锁层（24）上和/或盖顶层（19）上。

15.优选地使用按照前述权利要求的任一项所述的方法制成的封装的MEMS-晶片，包括至少一个自由可运动的机械的功能元件（10）和封装，其特征在于，所述封装包括生长的盖顶层（19）。

16.按照权利要求15所述的MEMS-晶片，其特征在于，在盖顶层（19）上和/或在设置在盖顶层（19）上的优选结构化的闭锁层（24）上设置至少一个用于接触MEMS-晶片（1）的金属化部（25）。

17.按照权利要求15或16的任一项所述的MEMS-晶片，其特征在于，在功能元件（10）上设置防粘附层（23）。

18.按照权利要求15至17的任一项所述的MEMS-晶片，其特征在于，用扩散阻挡层给在封装中形成的空穴（4、22）加内衬。