[发明专利]用于沉积有机半导体的混合溶剂体系

权利要求书

1.一种组合物，其包含：

a)溶剂混合物，所述溶剂混合物包含

i)具有6至16个碳原子的烷烃，所述烷烃的含量范围按所述溶剂混合物的重量计为1至20重量％；和

ii)由式(I)表示的芳族化合物

所述芳族化合物的含量范围按所述溶剂混合物的重量计为80至99重量％，其中

R^a为烷基、杂烷基、烷氧基、杂烷氧基或稠合的5元至6元环；

各R^b独立地选自烷基、烷氧基或卤基；

n为在0至5范围内的整数；以及

b)有机半导体材料，所述有机半导体材料以按所述组合物的总重量计等于至少0.1重量％的量溶解于所述溶剂混合物中。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中R^a为含有1至10个碳原子的烷氧基。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中所述由式(I)表示的芳族化合物包括苯甲醚、2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、2，3-二甲基苯甲醚、2，4-二甲基苯甲醚、2，5-二甲基苯甲醚、2，6-二甲基苯甲醚、3，4-二甲基苯甲醚、3，5-二甲基苯甲醚、2-氯苯甲醚、3-氯苯甲醚、4-氯苯甲醚、1，2-二甲氧基苯或其混合物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中所述由式(I)表示的芳族化合物包括苯甲醚、3，5-二甲基苯甲醚或其混合物。

5.根据权利要求1所述的组合物，其中R^a为具有1至10个碳原子的烷基。

6.根据权利要求1或5所述的组合物，其中所述由式(I)表示的芳族化合物包括正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯、异丁基苯、异丙基甲苯、正丙基苯、异丙基苯(枯烯)、均三甲苯、四氢萘或其混合物。

7.根据权利要求1所述的组合物，其中所述由式(I)表示的芳族化合物包括正丁基苯、苯甲醚、3，5-二甲基苯甲醚或其混合物。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的组合物，其中所述烷烃具有9至13个碳原子。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的组合物，其中所述烷烃包括癸烷、十一烷、十二烷或其混合物。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的组合物，其中所述溶剂混合物包含88至99重量％的由式(I)表示的芳族化合物和1至12重量％的烷烃。

11.一种组合物，其包含：

a)溶剂混合物，所述溶剂混合物包含

i)具有6至16个碳原子的烷烃，所述烷烃的含量范围按所述溶剂混合物的重量计为1至20重量％；和

ii)由式(I)表示的芳族化合物

(I)

所述芳族化合物的含量范围按所述溶剂混合物的重量计为80至99重量％，其中

R^a为烷基、杂烷基、烷氧基、杂烷氧基或稠合的5元至6元环；

各R^b独立地选自烷基、烷氧基或卤基；

n为在0至5范围内的整数；以及

b)有机半导体材料，所述有机半导体材料以按所述组合物的总重量计等于至少0.1重量％的量溶解于所述溶剂混合物中，所述有机半导体由式(II)表示

其中，

各R^c独立地选自未取代或取代的烷基、未取代或取代的杂烷基、未取代或取代的烯基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的杂芳基、二茂铁基或由式-Si(R^d)₃表示的甲硅烷基；

各R^d独立地选自氢、未取代或取代的烷基、未取代或取代的杂烷基、未取代或取代的烯基、未取代或取代的炔基、取代或未取代的芳基、未取代或取代的杂芳基或乙酰基；

各X独立地选自氢、卤基、烷基、烷氧基、芳基、杂芳基、烯基、氰基或杂烷基；

其中取代的烷基或取代的杂烷基被至少一个芳基、杂芳基、卤基、氰基、羟基或羧基取代；并且

其中取代的烯基或取代的炔基被至少一个烷氧基、芳基、杂芳基、卤基、氰基、羟基或羧基取代；并且

其中取代的芳基或取代的杂芳基被至少一个烷基、烷氧基、杂烷基、烷氧基、卤基、氰基、羟基、-SeH或羧基取代。