[发明专利]带有沟道分隔的鳍状半导体设备生产方法

权利要求书

1.一种用于鳍状半导体设备的沟道分隔方法，所述方法包括：

从块状半导体基板(302)中形成第一导电鳍系列(314)和第二导电鳍系列(316)，所述第一导电鳍系列(314)和所述第二导电鳍系列(316)由间隔(322)分隔；

在所述第一导电鳍系列(314)、所述第二导电鳍系列(316)和所述块状半导体基板(302)上方沉积氧化物材料(324)，所述氧化物材料(324)形成与所述间隔(322)相对应的凹陷(326)，所述凹陷(326)定位于所述氧化物材料(324)的相对侧壁(328)之间；

加深所述凹陷(326)，让其进入所述块状半导体基板(302)之内，以形成沟道(336)，所述沟道(336)自动与所述相对侧壁(328)对齐；以及

用介电材料(340)填充所述沟道(336)。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述形成步骤形成所述第一导电鳍系列(314)内的多个导电鳍(304、306)和所述第二导电鳍系列(316)内的多个导电鳍(308、310)。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述形成步骤根据选定的鳍间隙(320)形成所述第一导电鳍系列(314)内的多个导电鳍(304、306)和所述第二导电鳍系列(316)内的多个导电鳍(308、310)，由此所述间隔(322)分隔所述第一导电鳍系列(314)和所述第二导电鳍系列(316)，其分隔距离大于所选定的鳍间隙(320)。

4.如权利要求1所述的方法，其中加深所述凹陷(326)包括：蚀刻所述氧化物材料(324)，以延伸所述凹陷至所述块状半导体基板(302)；并且

之后，使用所述氧化物材料(324)作为蚀刻掩模蚀刻所述块状半导体基板(302)。

5.如权利要求1所述的方法，其中填充所述沟道(336)包括在沟道(336)内、所述块状半导体基板(302)上、所述第一导电鳍系列(314)上和所述第二导电鳍系列(316)上沉积氧化物(340)。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括将所述氧化物(340)抛光至所述第一导电鳍系列(314)和所述第二导电鳍系列(316)的高度。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括蚀刻所述氧化物(340)至暴露所述第一导电鳍系列(314)的仅仅一部分和所述第二导电鳍系列(316)的仅仅一部分。

8.一种生产半导体设备结构(300)的方法，所述方法包括：

提供基板，所述基板包括块状半导体材料(302)、从所述块状半导体材料(302)中形成的第一导电鳍结构(306)和从所述块状半导体材料(302)中形成的第二导电鳍结构(308)，所述第一导电鳍结构(306)和所述第二导电鳍结构(308)由间隔(322)分隔；

在所述间隔(322)内，贴近所述第一导电鳍结构(306)和所述第二导电鳍结构(308)形成垫板(332，334)；

使用所述垫板(332，334)作为蚀刻掩模蚀刻所述块状半导体材料(302)，以在所述块状半导体材料(302)内形成分隔沟道(336)；

在所述分隔沟道(336)内、所述垫板(332，334)上、所述第一导电鳍结构(306)上和所述第二导电鳍结构(308)上形成介电材料(340)；以及

蚀刻至少部分所述介电材料(340)和至少部分所述垫板(332，334)，以暴露所述第一导电鳍结构(306)的上方部分(342)和所述第二导电鳍结构(308)的上方部分(342)，同时保留所述分隔沟道(336)内的所述介电材料(340)。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成垫板(332，334)包括：

在所述第一导电鳍结构(306)、所述第二导电鳍结构(308)和所述块状半导体材料(302)上沉积氧化物材料(324)，所述氧化物材料(324)形成对应于所述间隔(322)的凹陷(326)；以及

各向异性蚀刻所述氧化物材料(324)，由此所述凹陷(326)延伸到所述块状半导体材料(302)。

10.如权利要求8所述的方法，其中蚀刻所述块状半导体材料(302)，形成分隔沟道(336)，所述分隔沟道(336)与所述垫板(332，334)自动对齐。