[发明专利]用于制造垂直构造的半导体发光装置的支撑衬底以及使用该支撑衬底的半导体发光装置

权利要求书

1.一种用于制造垂直构造的半导体发光装置的支撑衬底，包括：

由具有和蓝宝石衬底的热膨胀系数相差5ppm或者更少的材料所形成的所选择的支撑衬底，在所述蓝宝石衬底上层叠有包括III-V族氮基半导体的多层发光结构薄膜；

形成于所述所选择的支撑衬底上的牺牲层；

形成于所述牺牲层的上部的厚金属膜；和

形成于所述厚金属膜的上部的由钎焊或者铜焊合金材料形成的粘结层。

2.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述所选择的支撑衬底是由从蓝宝石Al₂O₃、氮化铝AlN、MgO、AlSiC、BN、BeO、TiO₂、SiO₂、GaN、ZnO和玻璃所组成的组中选择的至少一种材料构成的单晶体、多晶体或者非晶体衬底。

3.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述的牺牲层包括：

(i)从由GaN、InGaN、ZnO、GaZnO、MgZnO、InZnO、InN、In₂O₃、GaInO₃、MgInO₄、CuInO₂、ZnInO、ITO、SnO₂、Si₃N₄、SiO₂、BeMgO、MgZnO、TiN、VN、CrN和TaN所组成的组中选择的至少一种材料，如果所述牺牲层是由与氧或者氮结合的单晶体、多晶体或者非晶体物质所构成的；

(ii)从由可以被化学蚀刻的金属、合金、固溶体、氧化物、氮化物和耐热有机材料所组成的组中所选择的至少一种材料，如果所述牺牲层是由可通过化学蚀刻方式除去的材料构成；

(iii)从由聚酰亚胺、硅酮粘接剂和聚乙烯醇缩丁醛树脂所构成的耐热粘接剂所组成的组中所选择的至少一种材料，如果所述牺牲层是由耐热粘接材料构成的；

(iv)硅酸盐或者硅酸材料，如果所述牺牲层是旋涂玻璃薄膜，

(v)硅酸盐、硅氧烷、甲基倍半硅氧烷(MSQ)、氢倍半硅氧烷(HSQ)、甲基倍半硅氧烷(MSQ)+氢倍半硅氧烷(HSQ)、全氢硅氮烷(TCPS)和聚硅氮烷，如果所述牺牲层是旋涂电介质，或者

(vi)从由AZ系列、SU-8系列、TLOR系列、TDMR系列和GXR系列组成的组中所选择的至少一种材料，如果所述牺牲层是由光刻胶构成的。

4.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述的厚金属膜包括从由Au、Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt和Si所组成的组中所选择的至少一种成份。

5.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述的厚金属膜具有0.1-999um的厚度。

6.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述粘结层是由包括从由Ga、Bi、In、Sn、Pb、Au、Al、Ag、Cu、Ni、Pd、Si和Ge所组成的组中所选择的至少两种成份的合金形成。

7.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述的牺牲层、所述的厚金属膜和所述粘结层中至少有一个被图案化，或者所述牺牲层、所述的厚金属膜、所述粘结层和所选择的支撑衬底中有一部分被图案化。