[发明专利]用于发光器件的光学元件及其制备方法

权利要求书

1.一种光学元件(3)，包括具有第一层(4)和布置在所述第一层(4)上的第二层(5)的烧结陶瓷体，其中所述第一层(4)包括波长转换材料，所述第二层(5)的孔隙度高于所述第一层(4)的孔隙度，并且所述第二层(5)中的孔隙布置用于提供光束的散射。

2.根据权利要求1所述的光学元件(3)，其中所述第二层(5)的反射率＞90％。

3.根据权利要求1或2所述的光学元件(3)，其中所述第二层(5)中孔隙的平均直径在从0.1μm至1μm的范围内。

4.根据在前权利要求的任意一项所述的光学元件(3)，其中所述第一层(4)的孔隙度低于大于10％。

5.根据在前权利要求的任意一项所述的光学元件(3)，其中所述第一层(4)的热膨胀系数与所述第二层(5)的热膨胀系数相互匹配。

6.根据在前权利要求的任意一项所述的光学元件(3)，其中所述第一层(4)的折射率与所述第二层(5)的折射率相互匹配。

7.根据在前权利要求的任意一项所述的光学元件(3)，其中所述第一层(4)包括第一材料并且所述第二层(5)包括第二材料，其中所述第一材料和所述第二材料包括相同的主要成分。

8.根据在前权利要求的任意一项所述的光学元件(3)，其中所述第一层(4)的助熔剂浓度高于所述第二层(5)的助熔剂浓度。

9.根据在前权利要求的任意一项所述的光学元件(3)，其中所述第一层(4)和第二层(5)包括包含YAG结构的陶瓷材料。

10.根据权利要求9所述的光学元件(3)，其中所述第一层(4)包括浓度范围从200ppm-2000ppm的SiO₂，并且第二层(5)包括浓度范围从0ppm-500ppm的SiO₂。

11.一种包括至少一个发光二极管(2)和根据在前权利要求1-10的任意一项所述的光学元件(3)的发光器件(1)，其中所述光学元件的所述第一层(4)布置为面对所述发光二极管(2)以接收至少部分由所述发光二极管(2)发出的光。

12.一种用于制备光学元件(3)的方法，包括：

提供包括第一材料的第一层和第二材料的第二层的坯体；以及

将所述层共同烧结成烧结陶瓷体；

调节所述第一层和第二层的成分，使得在烧结之后，所述第二层(5)的孔隙度高于所述第一层(4)的孔隙度，并且所述第二层(5)中的孔隙布置用于提供光束的散射。

13.根据权利要求12所述的用于制备光学元件的方法，其中所述第一层(4)包括如下材料成分，所述材料成分在烧结期间具有比所述第二层(5)更高的烧结速率。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中所述孔隙度通过在所述第一层(4)中使用比所述第二层(5)中更高量的助熔剂进行控制。

15.一种用于制备包括至少一个发光二极管(2)的发光器件(1)的方法，包括：

提供根据权利要求1-10的任意一项所述的、或可以由权利要求12-14所述的方法得到的光学元件(3)；以及

布置所述光学元件(3)用于接收至少部分由所述发光二极管(2)发出的光，并且使得所述第一层(4)面对至少一个发光二极管。