[发明专利]生长GaN晶体的方法

权利要求书

1.一种生长GaN晶体的方法，所述方法包括：

准备衬底(10)的步骤，所述衬底(10)具有主面(10m)并包含Ga_xAl_yIn_1-x-yN(0＜x，0≤y，且x+y≤1)晶种(10a)，所述Ga_xAl_yIn_1-x-yN晶种(10a)具有所述主面(10m)，以及

通过在800℃以上1500℃以下的气氛温度和500个大气压以上且小于2000个大气压的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的主面(10m)进行接触，在所述主面(10m)上生长GaN晶体(20)的步骤，其中该溶液(7)通过使氮溶解在Ga熔融体(3)中而制得。

2.根据权利要求1的生长GaN晶体的方法，所述方法在所述准备衬底(10)的步骤之后并且在所述生长GaN晶体(20)的步骤之前还包括腐蚀所述衬底(10)的所述主面(10m)的步骤。

3.根据权利要求2的生长GaN晶体的方法，其中通过在800℃以上1500℃以下的气氛温度和1个大气压以上且小于500个大气压的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的主面(10m)进行接触，实施腐蚀所述衬底(10)的所述主面(10m)的步骤，其中该溶液(7)通过使氮溶解在Ga熔融体(3)中而制得。

4.根据权利要求1的生长GaN晶体的方法，其中所述衬底(10)的Ga_xAl_yIn_1-x-yN晶种(10a)包含主结晶区域(10k)和具有相反极性的结晶区域(10h)，其中[0001]方向上的极性相对于主结晶区域(10k)是反向的。

5.根据权利要求4的生长GaN晶体的方法，其中，在所述衬底(10)中，具有相反极性的结晶区域(10h)的主面(10hm)相对于所述主结晶区域(10k)的主面(10km)以10μm以上的深度凹进。

6.根据权利要求1的生长GaN晶体的方法，其中，在准备衬底(10)的步骤中，准备多个衬底(10)，准备各自容纳一个或多个衬底(10)的多个晶体生长容器(1、1A和1B)，并且在晶体生长室(110)中，在水平方向和垂直方向中的至少一个方向上布置所述多个晶体生长容器(1、1A和1B)。