[发明专利]流体的静电处理装置无效

专利信息
申请号: 200980127626.6 申请日: 2009-05-08
公开(公告)号: CN102099611A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 沈鹤燮;李德秀 申请(专利权)人: 沈鹤燮
主分类号: F16L58/00 分类号: F16L58/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 流体 静电 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种导电性流体的静电处理装置,其包括:

分别连接于金属管道的流入部(22)和流出部(32),其中通过所述流入部流入导电性流体,并且通过所述流出部将导电性流体排出至外部;以及

所述流入部和所述流出部之间的电子处理部(120),

其中所述电子处理部(120)包括:

金属制成的电子供应部(130),其中所述电子供应部具有负电并根据电位差释放电子;

金属制成的电子收容部(140),其中所述电子收容部具有正电并接收根据所述电位差产生的所述电子;

绝缘材料(150),其设置于所述电子供应部(130)及所述电子收容部(140)之间,使得所述电子供应部(130)及所述电子收容部(140)接合但彼此电绝缘;

电位差发生部(160),其向所述电子供应部(130)施加负电,向所述电子收容部(140)施加正电,并向所述电子供应部(130)和所述电子收容部(140)之间供应1.1至60伏的电位差。

2.根据权利要求1所述的导电性流体的静电处理装置,其中,所述电子供应部(130)由离子化倾向大于氢的离子化倾向的金属(M)成分制成,并且

其中所述电子收容部(140)由离子化倾向小于氢的离子化倾向的金属(M)成分制成。

3.根据权利要求2所述的导电性流体的静电处理装置,其中,所述电子供应部(130)由离子化倾向大于铁(Fe)的离子化倾向的金属(M)成分制成,所述电子收容部(140)由铜(Cu)制成。

4.根据权利要求3所述的导电性流体的静电处理装置,其中,所述电子供应部(130)由锌(Zn)成分制成。

5.根据权利要求4所述的导电性流体的静电处理装置,所述电子供应部(130)包括通过所述电位差发生部(160)产生的电子和通过所述离子化倾向产生的电子,并通过将所述电子供应至导电性流体,还原包含在所述导电性流体中的重金属成分。

6.根据权利要求1所述的导电性流体的静电处理装置,其中,所述绝缘部(150)由塑料、陶瓷或绝缘体制成。

7.根据权利要求6所述的导电性流体的静电处理装置,其中,所述绝缘部(150)由聚四氟乙烯制成。

8.根据权利要求1所述的导电性流体的静电处理装置,其中,所述电子供应部(130)、电子收容部(140)及绝缘部(150)由保护部(170)所保护,所述保护部(170)保护所述电子供应部、电子收容部及绝缘部(150)外部。

9.根据权利要求1至8所述的任一项所述的导电性流体的静电处理装置,其特征在于,所述导电性流体为水。

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