[发明专利]防止环烯烃衍生物降解的添加剂

说明书

相关申请的交叉引用

此申请要求于2008年7月8日所提交的美国临时申请第61/078,984号的优先权，其内容在此并入本案以为参考。

公开内容的背景

公开内容的领域

此公开内容通常涉及对空气和/或热展现出稳定性的环烯烃组合物。更具体地，此公开内容涉及用一种或多种抗氧化剂化合物(如，取代的酚类)稳定化的环烯烃衍生物，以降低或消除环烯烃组合物暴露于氧气、热或二者的组合时形成聚合物，以及涉及使用这样的组合物来形成介电膜的方法。

公开内容的背景

半导体工业需要许多类型的薄膜以及厚膜来制造半导体组件，它们中的许多种是以硅为基础的。这些膜的元素组成，典型地为硅和碳与氧、氢以及氟的各种组合的某一组合。在美国专利案第6,914,335号中，Andideh等人教示层可如何不同以及可如何用于不同的目的，而在美国专利案第6,846,515号中，Vrtis等人教示半导体工业较喜好的介电膜的硅、氧、碳以及氢的范围。频繁使用的方法是化学气相沉积法，且此方法有许多的变化。

在典型的化学气相沉积法中，将含硅化合物导入含有欲进行涂覆的基材的沉积室中。之后利用化学或物理方式改变此含硅化合物(即，与另一组份反应，或施加诸如放射线、热(热CVD)或等离子体(PECVD)等的能源)，以在述基材上沉积膜。仅含硅与氧(即，氧化硅)的沉积薄层在无孔洞的情况下介电常数约4，而亦含有碳(即，掺杂碳的氧化硅)和/或孔洞的膜通常具有低于4的介电常数。对较新的半导体组件而言，具有低于约2.7的介电常数的膜是较佳的。在美国专利案第6,583,048号中，Vincent等人提供化学气相沉积技术、介电常数的例子，以及半导体工业所期望的膜的例子。

沉积在基材上的层的特性，诸如介电常数、膜硬度以及折射率，会因改变进料到膜沉积工具内的化学品的组成以及所使用的方法而受影响。所述膜的特性可藉由使用不同的流动气体、使用一种或多种不同的反应性气体或使用后沉积退火技术，改变所述含硅化合物的特性来做调整。另一用于影响层特性的方法是使用含硅化合物的组合物，或将含硅化合物与一种或多种添加剂化合物组合。这些技术可用于改变所述膜的化学组成，以将所述膜调整成所想要的特性。美国专利案第6,633,076号、第6,217,658号、第6,159,871号、第6,479,110号以及第6,756,323号(在此并入本案以为参考)，提供如何通过改变沉积参数或组份混合物来影响膜特性的范例。

所述添加剂化合物的另一用途是提供其片段或原子仅暂时地存在于所述膜中的化合物。所述膜可经使用热、放射线或热或放射线的组合以及诸如氧气的反应性气体进行后处理，以将所述片段或原子从所述膜中赶出去，以便在所产生的膜上制造孔洞。此方法会影响所沉积的膜的特性(如，介电常数)。以此方式所使用的化合物称作成孔剂(porogens)。

于此类型的方法中使用的典型的成孔剂大多数是由碳与氢构成。一些可作为成孔剂的环烯烃化合物类的例子述于美国专利案第6,846,515号以及第6,756,323号中。

大量半导体的制造对设备以及流经所述设备的化学品的纯度与稳定性有严格要求。要求通过化学品管线以及蒸发器设备输送的化学品，在长期使用期间要可以干净地传输并蒸发且没有留下或留下很少的残留物。在预定或非预定维修周期之间，一件设备可操作的时间愈长(如，清理或更换受聚合物或其它残留物污染或阻塞的化学品管线或蒸发器设备)，工具生产能力愈高，使其更符合成本效益。在清洁以及维修时必须关机的沉积工具，并不合半导体制造业客户的意。因此，需要有能连续、长期操作的设备。蒸发器设备可包括许多类型的蒸发装置，包括，但不限于，加热型蒸发器(见，如美国专利案第6,604,492号、第5,882,416号、第5,835,678号以及其中的参考文献)、鼓泡安瓿(bubbler ampoules)(见，如美国专利案第4,979,545号、第5,279,338号、第5,551,309号、第5,607,002号、第5,992,830号以及其中的参考文献)、闪蒸蒸发器(见，如美国专利案第5,536,323以及其中的参考文献)以及喷雾装置(见，如美国专利案第5,451,260号、第5,372,754号、第6,383,555以及其中的参考文献)。