[发明专利]氮化物半导体激光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体激光元件，其特征在于，包含：

基板(100、200、300)；

在上述基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；

在上述n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)；

在上述氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及

在上述p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，

上述氮化物半导体活性层(104、204、304)具有：包含铟的氮化物半导体阱层(131)；和氮化物半导体障壁层(132)。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

在位于与从上述氮化物半导体活性层(104、204、304)放出的激光的宽度对应的上述氮化物半导体活性层(104、204、304)的区域上方的上述上部透明导电膜(109、209、309)的区域中，上述上部透明导电膜(109、209、309)的表面与气体或透明电介质膜接触。

3.根据权利要求2所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

上述激光(121、321)的电场分布渗出到上述上部透明导电膜(109、209、309)的上方。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

在位于与从上述氮化物半导体活性层(104、204、304)放出的激光(121、321)的宽度对应的上述氮化物半导体活性层(104、204、304)的区域上方的上述上部透明导电膜(109、209、309)的区域中，上述上部透明导电膜(109、209、309)的表面与气体或透明电介质膜接触，而且在位于与从上述氮化物半导体活性层(104、204、304)放出的激光(121、321)的宽度对应的上述氮化物半导体活性层(104、204、304)的区域上方不同区域的上述上部透明导电膜(109、209、309)的区域中，上述上部透明导电膜(109、209、309)的表面与由金属构成的电极(111)接触。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

上述基板(100、200、300)由GaN或AlGaN构成。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

上述p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)具有与上述上部透明导电膜(109、209、309)接触的p型氮化物半导体接触层(108，208，308)，

上述p型氮化物半导体接触层(108，208，308)由p型GaN或p型AlGaN构成，

上述p型氮化物半导体接触层(108，208，308)的厚度是1μm以下。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

在上述n型氮化物半导体层(101、201、301)与上述氮化物半导体活性层(104、204、304)之间具备氮化物半导体下部光导层(102、202、302)，

上述氮化物半导体下部光导层(102、202、302)由包含铟的氮化物半导体构成，

上述氮化物半导体下部光导层(102、202、302)的铟组成比小于上述氮化物半导体阱层(131)的铟组成比。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

在上述氮化物半导体活性层(104、204、304)与上述上部透明导电膜(109、209、309)之间具备氮化物半导体上部光导层(106、206、306)，

上述氮化物半导体上部光导层(106、206、306)由包含铟的氮化物半导体构成，

上述氮化物半导体上部光导层(106、206、306)的铟组成比小于上述氮化物半导体阱层(131)的铟组成比。

9.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

在上述n型氮化物半导体层(101、201、301)的上述氮化物半导体活性层(104、204、304)设置侧的相反侧具备下部透明导电膜(312)，

上述下部透明导电膜(312)的上述n型氮化物半导体层(101、201、301)设置侧的相反侧的表面的至少一部分与气体或透明电介质膜接触。