[发明专利]基于供体/受体交替共聚物的高性能可溶液加工半导体聚合物有效
| 申请号: | 200980125975.4 | 申请日: | 2009-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN102083883A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
| 发明(设计)人: | M·卡斯特勒;S·克勒;K·米伦;D·乔;H·N·陶 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司;马克思-普朗克科学促进协会公司 |
| 主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;C09K11/06;H01B1/12;H01L51/00;H01L51/05;H01L51/42;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘金辉;林柏楠 |
| 地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 供体 受体 交替 共聚物 性能 溶液 加工 半导体 聚合物 | ||
1.一种包含式(I)的基团作为重复单元并且具有30-70kg/mol的数均分子量Mn的苯并噻二唑-环戊二烯并二噻吩共聚物:
其中R为正十六烷基或3,7-二甲基辛基。
2.根据权利要求1的共聚物作为半导体或电荷传输材料的用途,作为薄膜晶体管(TFT)的用途,或在有机发光二极管(OLED)用半导体组件中的用途,用于光伏组件或在传感器中的用途,在电池中作为电极材料的用途,作为光波导的用途或用于电子照相应用的用途。
3.一种组合物,包含溶于或分散于液体介质中的一种或多种权利要求1的聚合物。
4.一种薄膜半导体,包含一种或多种权利要求1的共聚物。
5.一种组合件,包含基底和沉积在所述基底上的权利要求4的薄膜半导体。
6.一种制备权利要求5的组合件的方法,包括将权利要求1的共聚物溶于液体介质中以形成溶液,将所述溶液沉积在基底上并除去溶剂而在基底上形成薄膜半导体。
7.根据权利要求6的方法,其中所述溶液通过旋涂、浸涂或印刷沉积。
8.一种场效应晶体管器件,包含权利要求4的薄膜半导体或权利要求5的组合件。
9.一种光伏器件,包含权利要求4的薄膜半导体或权利要求5的组合件。
10.一种有机发光二极管器件,包含权利要求4的薄膜半导体或权利要求5的组合件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴斯夫欧洲公司;马克思-普朗克科学促进协会公司,未经巴斯夫欧洲公司;马克思-普朗克科学促进协会公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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