[发明专利]气化炉反应器内涂层

权利要求书

1.一种气化炉，包含施有涂层的内壁，或者包含被块的组件保护的内壁，所述层或所述块具有至少一个烧结材料的区，所述烧结材料包含：

i)至少25wt％的三氧化二铬Cr₂O₃；和

ii)至少1wt％的氧化锆，其中至少20wt％的所述氧化锆ZrO₂以立方晶和/或四方晶形式稳定存在。

2.根据权利要求1所述的气化炉，包含小于9.5wt％的二氧化硅SiO₂。

3.根据前一权利要求所述的气化炉，包含小于3.0wt％的二氧化硅SiO₂。

4.根据前述任一权利要求所述的气化炉，包含大于0.5wt％的二氧化硅SiO₂。

5.根据前述任一权利要求所述的气化炉，其中，至少60wt％的所述氧化锆以立方晶和/或四方晶形式稳定存在。

6.根据前述任一权利要求所述的气化炉，其中，所述烧结材料包含至少一种稳定或者不稳定氧化锆的掺杂剂，所述掺杂剂选自于CaO、MgO、Y₂O₃、TiO₂以及例如为CeO₂、Er₂O₃、La₂O₃的稀土金属氧化物。

7.根据前一权利要求所述的气化炉，其中所述掺杂剂是CaO。

8.根据前述任一权利要求所述的气化炉，其中所述氧化锆ZrO₂的含量大于6wt％。

9.根据前述任一权利要求所述的气化炉，其中所述氧化锆ZrO₂的含量小于7wt％。

10.根据前述任一权利要求所述的气化炉，包含大于45wt％的三氧化二铬Cr₂O₃。

11.根据前一权利要求所述的气化炉，其中所述三氧化二铬Cr₂O₃的含量大于80wt％。

12.根据前述任一权利要求所述的气化炉，其中所述烧结材料含有含量大于1wt％的氧化铝Al₂O₃。

13.根据前述任一权利要求所述的气化炉，其中所述烧结材料含有含量小于10wt％的氧化铝Al₂O₃。

14.根据前述任一权利要求所述的气化炉，其中所述烧结材料中的Al₂O₃+ZrO₂的总含量以基于氧化物的重量百分比计为大于5％且小于70％。

15.根据前述任一权利要求所述的气化炉，其中所述烧结材料中Al₂O₃+ZrO₂的总含量以基于氧化物的重量百分比计为大于35％。

16.根据前述任一权利要求所述的气化炉，其中，所述材料的结构的特征为：被基质所包裹的颗粒，颗粒中Cr₂O₃的含量以基于烧结材料的氧化物的重量百分比计为15％或大于15％，基质中Cr₂O₃的含量以基于烧结材料氧化物的重量百分比计为10％或大于10％。

17.根据前述任一权利要求所述的气化炉，其中所述材料的结构的特征为：被基质所包裹的三氧化二铬颗粒，所述基质包含细粒，细粒包括氧化锆和选自于CaO、MgO、Y₂O₃、TiO₂以及例如为CeO₂、Er₂O₃、La₂O₃的稀土金属氧化物中的掺杂剂，所述掺杂剂稳定或不稳定所述氧化锆，包含在所述细粒中的氧化锆占所述材料的重量的百分比为大于2.5wt％。

18.根据前一权利要求所述的气化炉，其中所述细粒中的所述掺杂剂的含量为相对于所述细粒的重量的1wt％到14wt％。