[发明专利]膜淀积方法

权利要求书

1.一种在衬底(10、11)的一个主表面上淀积薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25、81、82)的膜淀积方法，包括如下的步骤：

制备衬底(10、11)；

相对于沿着所述一个主表面的方向弯曲所述衬底(10、11)；以及

在所述衬底(10、11)弯曲的情况下，在所述衬底(10、11)的所述一个主表面上淀积薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25、81、82)。

2.根据权利要求1所述的膜淀积方法，还包括如下的步骤：

在弯曲所述衬底(10、11)的所述步骤中，相对于沿着所述一个主表面的方向，在弯曲所述衬底(10、11)的所述步骤中已被弯曲的所述衬底(10、11)的方向的相反方向上弯曲所述衬底(10、11)，以及

在所述衬底(10、11)沿所述相反方向弯曲的情况下，在所述衬底(10、11)的所述一个主表面上淀积薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25)。

3.根据权利要求1所述的膜淀积方法，其中，

在弯曲所述衬底(10、11)的所述步骤中，根据第一晶格常数和第二晶格常数，相对于沿着所述一个主表面的方向来弯曲所述衬底(10、11)，所述第一晶格常数是构成要被淀积的所述薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25)的材料的晶格常数，所述第二晶格常数是构成所述衬底(10、11)的要在上面淀积所述薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25)的所述一个主表面的材料的晶格常数。

4.根据权利要求3所述的膜淀积方法，其中，

在弯曲所述衬底(10、11)的所述步骤中，当所述第一晶格常数大于所述第二晶格常数时，相对于执行弯曲所述衬底(10、11)的步骤之前的形状，在向着所述一个主表面突出的方向上弯曲所述衬底(10、11)，以及，当所述第一晶格常数小于所述第二晶格常数时，相对于执行弯曲所述衬底(10、11)的步骤之前的形状，在向着所述一个主表面凹陷的方向上弯曲所述衬底(10、11)。

5.根据权利要求3所述的膜淀积方法，其中，

在弯曲所述衬底(10、11)的所述步骤中，当所述第一晶格常数大于所述第二晶格常数时，所述衬底(10、11)被弯曲成向着所述一个主表面突出的形状，以及，当所述第一晶格常数小于所述第二晶格常数时，所述衬底(10、11)被弯曲成向着所述一个主表面凹陷的形状。

6.根据权利要求1所述的膜淀积方法，其中，

在弯曲所述衬底(10、11)的所述步骤中，通过独立地控制第一加热构件(7)和第二加热构件(2)的加热温度来弯曲所述衬底(10、11)，所述第一加热构件(7)被设置成面对所述衬底(10、11)的所述一个主表面，所述第二加热构件(2)被设置成面对所述衬底(10、11)的与所述一个主表面相反的另一个主表面。

7.根据权利要求1所述的膜淀积方法，其中，

在制备所述衬底(10、11)的所述步骤中，制备具有彼此堆叠的多个层的衬底(10、11)，所述多个层由具有不同的热膨胀系数的材料制成。

8.根据权利要求1所述的膜淀积方法，其中，

在淀积所述薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25、81、82)的所述步骤中，把将构成要被淀积的所述薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25、81、82)的成分的源气体供给到已加热的所述衬底(10、11)的所述一个主表面之上。

9.根据权利要求8所述的膜淀积方法，其中，

所述源气体包括金属有机化合物蒸气。

10.根据权利要求8所述的膜淀积方法，其中，

所述源气体包括III族元素化合物蒸气。