[发明专利]含稀土元素的玻璃材料和基板以及包括这种基板的器件有效
| 申请号: | 200980124360.X | 申请日: | 2009-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN102066273A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
| 发明(设计)人: | P·S·丹尼尔森;M·J·德杰纳卡;A·J·埃利森;T·J·基克辛斯基 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号: | C03C3/095 | 分类号: | C03C3/095 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 沙永生;周承泽 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 稀土元素 玻璃 材料 以及 包括 这种 器件 | ||
1.一种含稀土的玻璃材料,按照以氧化物为基准的摩尔百分数表示,该材料具有包含以下组分的组成:
SiO2:66-75
Al2O3:11-17
B2O3:0-4
MgO:1-6.5
CaO:2-7
SrO:0-4
BaO:0-4
Y2O3:0-4
La2O3:0-4
Y2O3+La2O3:0.1-4.
2.如权利要求1所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料包含最多3摩尔%的RE2O3。
3.如权利要求1或2所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料包含最多2摩尔%的B2O3。
4.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料基本不含BaO。
5.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料包含1-4摩尔%的BaO。
6.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料基本不含As2O3和Sb2O3。
7.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料还包含以下组分:
TiO2:0-2
ZnO:0-3.
8.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料包含总量为0-4摩尔%的ZnO和B2O3。
9.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料的[R’O]/[Al2O3]比值为0.75-1.8。
10.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料的退火点高于790℃。
11.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料的T2.3低于1680℃。
12.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料的CTE(0-300℃)低于42x10-7K-1。
13.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料的CTE(0-300℃)高于30x10-7K-1。
14.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料的密度小于3.2克/厘米3。
15.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料的液相线温度低于1250℃。
16.如前述权利要求中任一项所述的玻璃材料,其特征在于,所述玻璃材料的液相线粘度大于60千泊。
17.一种用于TFT液晶显示器、光伏器件或者其他光电器件的玻璃基板,该基板包含如权利要求1-15中任一项所述的玻璃材料。
18.如权利要求17所述的玻璃基板,其采用下拉法,例如熔合下拉法或者狭缝下拉法制造。
19.如权利要求17所述的玻璃基板,其采用浮法制造。
20.一种包括基板的器件,所述基板包含如权利要求1-16中任一项所述的玻璃材料。
21.如权利要求20所述的器件,其特征在于,所述器件包括在基板表面上形成的多晶或单晶半导体材料如硅的薄膜或者由所述薄膜制造的半导体器件例如二极管、晶体管等。
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