[发明专利]薄膜状遮光板以及使用该遮光板的光圈、光量调节用光圈装置或快门

权利要求书

1.一种薄膜状遮光板，该薄膜状遮光板是在树脂薄膜基材(A)的至少一面上形成由结晶性碳化氧化钛膜形成的遮光性薄膜(B)而得到的，其特征在于：遮光性薄膜(B)的碳量以C/Ti原子数比计为0.6以上，且氧量以O/Ti原子数比计为0.2～0.6，而且遮光性薄膜(B)的膜厚的总和为260nm以上，波长400～800nm下的平均光学浓度为4.0以上。

2.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：遮光性薄膜(B)的膜厚总和是260～500nm。

3.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：树脂薄膜基材(A)是选自聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚萘二甲酸乙二醇脂(PEN)、聚酰亚胺(PI)、芳族聚酰胺(PA)、聚苯硫醚(PPS)或聚醚砜(PES)的一种以上。

4.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：树脂薄膜基材(A)是即使在200℃以上的温度下也具有耐热性的选自聚酰亚胺(PI)、芳族聚酰胺(PA)、聚苯硫醚(PPS)或聚醚砜(PES)的基材。

5.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：树脂薄膜基材(A)的膜厚是38μm以下。

6.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：树脂薄膜基材(A)的厚度是25μm以下。

7.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：在树脂薄膜基材(A)的两面上形成有遮光性薄膜(B)，两面的遮光性薄膜(B)具有实质上相同的组成、膜厚。

8.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：遮光性薄膜(B)的表面是导电性的。

9.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：在波长400～800nm下，遮光性薄膜(B)的表面的光正反射率平均为39％以下。

10.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：遮光性薄膜(B)的表面粗糙度是0.15～0.70μm(算术平均高度)。

11.根据权利要求9所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：在波长400～800nm下，遮光性薄膜(B)的表面的光正反射率平均为1.5％以下。

12.根据权利要求10所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：遮光性薄膜(B)的表面粗糙度是0.32～0.70μm(算术平均高度)。

13.根据权利要求11所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：在波长400～800nm下，遮光性薄膜(B)的表面的光正反射率平均为0.8％以下。

14.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：树脂薄膜基材(A)在溅镀装置的薄膜输送部被设置成卷筒状后，从开卷部往卷绕部卷绕时，通过溅镀法在树脂薄膜基材(A)表面上形成遮光性薄膜(B)。

15.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：遮光性薄膜(B)通过使用碳化氧化钛烧结体靶体的溅镀法，在树脂薄膜基材(A)上形成。

16.根据权利要求15所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：碳化氧化钛烧结体靶体以C/Ti原子数比为0.6以上的比例含有碳，以O/Ti原子数比为0.17～0.53的比例含有氧。

17.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：溅镀时的树脂薄膜基材(A)的表面温度为100℃以下。

18.根据权利要求1所记载的薄膜状遮光板，其特征在于：在270℃的高温环境下具有耐热性。

19.一种光圈，该光圈是通过对权利要求1～18任一项所记载的薄膜状遮光板进行加工而形成的。

20.一种光量调节用光圈装置，该光圈装置是使用通过对权利要求1～18任一项所记载的薄膜状遮光板进行加工而得到的叶片材料形成的。

21.一种快门，该快门是使用通过对权利要求1～18任一项所记载的薄膜状遮光板进行加工而得到的叶片材料形成的。