[发明专利]导电性粒子、各向异性导电膜、接合体以及连接方法有效
申请号: | 200980123234.2 | 申请日: | 2009-06-19 |
公开(公告)号: | CN102089832A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 石松朋之;大关裕树;浜地浩史 | 申请(专利权)人: | 索尼化学&信息部件株式会社 |
主分类号: | H01B5/00 | 分类号: | H01B5/00;H01B5/16;H01R11/01;H05K1/14;H05K3/32 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 粒子 各向异性 导电 接合 以及 连接 方法 | ||
技术领域
本发明涉及导电性粒子、各向异性导电膜、接合体以及连接方法。
背景技术
在液晶显示器与卷带式封装(Tape Carrier Package:TCP)之间的连接、柔性线路板(Flexible Printed Circuit:FPC)与TCP之间的连接或者FPC与印刷电路板之间的连接等电路元件之间的连接时,常使用在粘接剂中分散有导电性粒子的电路连接材料(例如各向异性导电粘接剂)。此外,最近在将半导体硅芯片装配到基板上时,不使用焊线来进行电路元件之间的连接,而是将半导体硅芯片面朝下直接装配到基板上,进行所谓的倒装芯片装配。在该倒装芯片装配中,电路元件之间的连接使用各向异性导电粘接剂等电路连接材料。
上述电路连接材料通常含有粘接剂组合物及导电性粒子。作为该导电性粒子,例如有(1)在镍粒子的表面上,通过合金层含有Au、Ag及Pd的一种或两种以上的导电性粒子(例如专利文献1);(2)包括由有机高分子构成的核体、形成于该核体上的由铜、镍、镍合金、银或银合金构成的金属层以及由金或钯构成的最外层的导电性粒子(例如专利文献2);(3)包括由有机高分子构成的核体、形成于该核体上的由铜、镍、镍合金、银或银合金构成的金属层、由金或钯构成的最外层以及设置在最外层表面侧的高50nm~500nm的由镍、铜、金、钴等构成的突起部的导电性粒子(例如专利文献3);(4)包括树脂微粒及形成于所述树脂微粒表面的由镍构成的导电层的导电性粒子,其为所述导电层在表面具有以选自金、银、铜、钯、锌、钴及钛中的至少一种金属或金属氧化物作为芯物质的突起的导电性粒子(例如专利文献4)等。在此,为了最大限度地获得导电性粒子的特性,最优选的是将导电性粒子压缩40%~70%进行连接。并且,为了获得低电阻连接,在导电性粒子上设置突起优选为坚硬的、没有表面氧化性的不活泼金属。
但是,用镍作为导电性粒子的最外层时,由于镍表面容易氧化,因此存在不能获得低电阻值的问题。
并且,用硬、脆的钯作为导电性粒子的最外层,在将导电性粒子压缩至适宜值使用的时候,由于镀层的裂缝等会出现环境可靠性试验后的电阻升高变大的问题。
此外,使用莫氏硬度比钯硬的钴作为导电性粒子的最外层时,表面活性高容易氧化,同时在与原子团聚合性粘合剂结合时会起到催化剂的作用,存在保存稳定性显著降低的问题。
并且,近年来,有用IZO(Indium zinc oxide)代替生产成本高的ITO(Indium tin oxide)作为电极材料的趋势。
用导电性高的金作为导电性粒子的最外层时,对于一直以来用作电极材料的ITO基板,能够确保导通可靠性,但对于在表面形成有氧化金属(绝缘体)、平滑的IZO基板,则不能突破表面所形成的氧化金属(绝缘体)而充分进入,不能确保充分的导通可靠性。
并且,目前还没有发现能够在维持高硬度的情况下抑制应力(即使在连接时呈压扁的状态也难以出现裂纹),不仅对ITO基板且对IZO基板也能够确保充分的导通可靠性的导电性粒子。
现有技术文献
专利文献1:日本专利特开2002-25345号公报
专利文献2:国际公开第05/002002号小册子
专利文献3:日本专利特开2005-166438号公报
专利文献4:日本专利特开2007-35573号公报
发明内容
本发明的技术方案是解决现有的各种问题,实现以下目的。即,本发明的目的在于提供一种导电性粒子,所述导电性粒子能够在维持高硬度的情况下提高铺展性、抑制应力(即使在连接时呈压扁的状态也难以出现裂纹);不仅对ITO基板,对IZO基板也能够确保充分的导通可靠性;本发明还提供具有该导电性粒子的各向异性导电膜及具有该各向异性导电膜的接合体以及使用该各向异性导电膜的连接方法。
解决所述技术方案的方法如下所述。即,
<1>一种导电性粒子,其为包括高分子微粒及形成于所述高分子微粒表面的导电层的导电性粒子,其特征在于,所述导电层的最外层为镍-钯合金层。
该导电性粒子,由于导电层的最外层为镍-钯合金层,因此能够在维持高硬度的情况下抑制应力(即使在连接时呈压扁的状态也难以出现裂纹);不仅对ITO基板,对IZO基板也能够确保充分的导通可靠性。
<2>前述<1>所述的导电性粒子,镍-钯合金层厚度为5nm~20nm。
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