[发明专利]模制微结构化制品及其制备方法无效
| 申请号: | 200980123214.5 | 申请日: | 2009-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN102066456A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
| 发明(设计)人: | 约瑟夫·D·鲁莱;凯文·M·莱万多夫斯基 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
| 主分类号: | C08G61/06 | 分类号: | C08G61/06;C08G61/02;C08G61/00;C08L65/00;C08J3/24;B29C35/00;B29C45/00 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张爽;樊卫民 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微结构 制品 及其 制备 方法 | ||
1.一种模制微结构化制品,其包含通过单体组合物的开环易位聚合形成的交联不饱和聚合物,所述单体组合物包含具有至少一个反应性双键的环状单体。
2.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,所述环状单体选自降冰片烯、亚乙基降冰片烯、环戊烯、环辛烯、二环戊二烯、三环戊二烯、四环戊二烯、降冰片二烯、7-氧代双环[2.2.1]庚-2-烯、四环[6,2,13,6,02,7]十二烷-4,9-二烯以及它们的衍生物。
3.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,所述环状单体包含至少两种不同的单体,其中所述至少两种不同单体中的每一种都选自降冰片烯、亚乙基降冰片烯、环戊烯、环辛烯、二环戊二烯、三环戊二烯、四环戊二烯、降冰片二烯、7-氧代双环[2.2.1]庚-2-烯、四环[6,2,13,6,02,7]十二烷-4,9-二烯以及它们的衍生物。
4.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,所述环状单体基本上由二环戊二烯组成。
5.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,所述环状单体包含二环戊二烯和降冰片烯。
6.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,所述环状单体包含二环戊二烯和烷基降冰片烯。
7.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,所述环状单体包含二环戊二烯和亚乙基降冰片烯。
8.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,所述环状单体包含重量比为约30∶70至约70∶30的二环戊二烯和环辛烯。
9.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,所述环状单体包含重量比为约10∶90至约50∶50的二环戊二烯和己基降冰片烯。
10.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,所述环状单体包含交联剂和单官能单体。
11.根据权利要求10所述的模制微结构化制品,其中所述交联剂包含二环戊二烯。
12.根据权利要求10所述的模制微结构化制品,其中所述单官能单体选自环辛烯、环戊二烯、烷基降冰片烯以及它们的衍生物。
13.根据权利要求10所述的模制微结构化制品,其中所述单体组合物包含相对于所述单体组合物的总重量计的约0.1重量%至约75重量%的交联剂。
14.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,其包括至少一个具有小于约2mm的尺寸的微结构化特征。
15.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,其包括至少一个具有小于约500μm的尺寸的微结构化特征。
16.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,其包括多个微结构化特征,每个特征都具有小于约2mm的尺寸。
17.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,其包括多个微结构化特征,每个特征都具有小于约500μm的尺寸。
18.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,其包括微结构化特征的阵列。
19.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,其包括光导装置、增亮薄膜、回射膜或微流体装置。
20.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,其包括多种研磨复合物,每种所述研磨复合物都包含多个分散在粘结剂中的磨粒。
21.根据权利要求1所述的模制微结构化制品,其包括多个杆,每个杆在干燥时都提供至少约0.6的静摩擦系数。
22.一种制备模制微结构化制品的方法,所述方法包括:
提供微结构化模具;
提供单体组合物,其包含:
具有至少一个反应性双键的环状单体;和
易位催化剂体系;
将所述微结构化模具的表面接触所述单体组合物;及
聚合所述单体组合物,以形成包含交联不饱和聚合物的模制微结构化制品。
23.根据权利要求22所述的方法,其还包括将所述模制微结构化制品与所述微结构化模具分离。
24.根据权利要求22所述的方法,其中所述易位催化剂体系包含过渡金属催化剂和有机铝活化剂。
25.根据权利要求22所述的方法,其中所述易位催化剂体系包含下式的化合物:
其中:
M选自Os和Ru;
R和R1独立地选自氢和选自下列的取代基:C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20烷氧基羰基、芳基、C1-C20羧酸酯基、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基和芳氧基;所述取代基可任选地被选自下列的部分取代:C1-C5烷基、卤素、C1-C5烷氧基和苯基;所述苯基可任选地被选自下列的部分取代:卤素、C1-C5烷基以及C1-C5烷氧基;
X和X1独立地选自任何阴离子配体;和
L和L1独立地选自化学式PR3R4R5表示的任何膦,其中R3选自新苯基、仲烷基和环烷基,并且其中R4和R5独立地选自芳基、新苯基、C1-C10正烷基、仲烷基和环烷基。
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