[发明专利]用于太阳能电池的基板和用于色素增感型太阳能电池的氧化物半导体电极

权利要求书

1.一种用于太阳能电池的基板，该用于太阳能电池的基板是通过将透明导电膜形成在玻璃基板上而制成的，其特征在于，所述玻璃基板的热膨胀系数为50×10^-7～110×10^-7/℃。

2.根据权利要求1所述的用于太阳能电池的基板，其特征在于，该太阳能电池为色素增感型太阳能电池。

3.根据权利要求1或2所述的用于太阳能电池的基板，其特征在于，所述玻璃基板的应变点为525℃以上。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的用于太阳能电池的基板，其特征在于，所述玻璃基板的厚度为2mm以下。

5.一种用于色素增感型太阳能电池的氧化物半导体电极，其特征在于，该氧化物半导体电极是通过将厚度为5～50μm的氧化物半导体层形成在权利要求1～4中的任一项所述的用于太阳能电池的基板的透明导电膜上而制成。

6.根据权利要求5所述的用于色素增感型太阳能电池的氧化物半导体电极，其特征在于，所述氧化物半导体层包含氧化钛。

7.根据权利要求5或6所述的用于色素增感型太阳能电池的氧化物半导体电极，其特征在于，所述氧化物半导体层由透光性不同的多个层构成。

8.根据权利要求5～7中的任一项所述的用于色素增感型太阳能电池的氧化物半导体电极，其特征在于，所述氧化物半导体层由氧化物粒子的粒子直径分布不同的多个层构成。

9.根据权利要求5～8中的任一项所述的用于色素增感型太阳能电池的氧化物半导体电极，其特征在于，所述氧化物半导体层包含由一次粒子的平均直径为30nm以下的氧化物粒子构成的层。

10.一种用于太阳能电池的基板，该用于太阳能电池的基板是通过将由掺氟氧化锡或掺锑氧化锡构成的导电膜形成在具有0.05～2mm的厚度的玻璃基板上而制成的，其特征在于，该玻璃基板的应变点为525℃以上。

11.根据权利要求10所述的用于太阳能电池的基板，其特征在于，所述太阳能电池为色素增感型太阳能电池。

12.根据权利要求10或11所述的用于太阳能电池的基板，其特征在于，所述玻璃基板的热膨胀系数为70×10^-7～110×10^-7/℃。

13.一种用于色素增感型太阳能电池的氧化物半导体电极，其特征在于，该氧化物半导体电极通过将厚度为5～50μm的氧化物半导体层形成在权利要求10～12中的任一项所述的用于太阳能电池的基板的导电膜上而制成。

14.根据权利要求13所述的用于色素增感型太阳能电池的氧化物半导体电极，其特征在于，所述氧化物半导体层由一次粒子的平均直径为30nm以下的氧化物粒子构成。

15.根据权利要求13或14所述的用于色素增感型太阳能电池的氧化物半导体电极，其特征在于，所述氧化物半导体层的气孔率为60～80％。