[发明专利]抗蚀剂处理方法无效
申请号: | 200980122599.3 | 申请日: | 2009-06-10 |
公开(公告)号: | CN102067041A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 畑光宏;平冈崇志;重松淳二 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | G03F7/40 | 分类号: | G03F7/40;G03F7/004;G03F7/039 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抗蚀剂 处理 方法 | ||
1.一种抗蚀剂处理方法,其包括下述工序:
(1)将含有树脂(A)、光产酸剂(B)及交联剂(C)的第一抗蚀剂组合物涂布在基体上并干燥,得到第一抗蚀剂膜的工序,所述树脂(A)具有对酸不稳定的基团,不溶或难溶于碱水溶液,且与酸作用能溶解于碱水溶液;
(2)预烘烤第一抗蚀剂膜的工序;
(3)曝光处理第一抗蚀剂膜的工序;
(4)曝光后烘烤第一抗蚀剂膜的工序;
(5)用第一碱显影液显影得到第一抗蚀剂图案的工序;
(6)将第一抗蚀剂图案在比所述第一抗蚀剂组合物的玻璃化温度低的温度下保持规定时间,然后,在所述玻璃化温度以上的温度下保持规定时间进行硬烘烤的工序;
(7)在第一抗蚀剂图案上涂布第二抗蚀剂组合物并干燥,得到第二抗蚀剂膜的工序;
(8)预烘烤第二抗蚀剂膜的工序;
(9)曝光处理第二抗蚀剂膜的工序;
(10)曝光后烘烤第二抗蚀剂膜的工序;及
(11)用第二碱显影液显影得到第二抗蚀剂图案的工序。
2.如权利要求1所述的抗蚀剂处理方法,其中,在比玻璃化温度低的温度下保持60秒以上。
3.如权利要求1或2所述的抗蚀剂处理方法,其中,在一定温度下进行在比玻璃化温度低的温度下的保持。
4.如权利要求1~3中任一项所述的抗蚀剂处理方法,其中,交联剂(C)是选自尿素系交联剂、亚烷基脲系交联剂及甘脲系交联剂中的至少一种。
5.如权利要求1~4中任一项所述的抗蚀剂处理方法,其中,交联剂(C)的含量相对于树脂100质量份为0.5~30质量份。
6.如权利要求1~5中任一项所述的抗蚀剂处理方法,其中,树脂(A)的对酸不稳定的基团是键合于-COO-的氧原子上的碳原子为季碳原子的烷基酯或具有内酯环的基团或者具有羧酸酯的基团。
7.如权利要求1~6中任一项所述的抗蚀剂处理方法,其中,光产酸剂(B)为式(1)表示的化合物,
式中,Ra表示碳原子数为1~6的直链或支链的烃基、或者碳原子数为3~30的环式烃基,Ra为环式烃基时,可以被选自碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为1~6的烷氧基、碳原子数为1~4的全氟烷基、醚基、酯基、羟基及氰基中的1个以上基团取代,A+表示有机平衡离子,Y1、Y2分别独立地表示氟原子或碳原子数为1~6的全氟烷基。
8.如权利要求1~7中任一项所述的抗蚀剂处理方法,其中,光产酸剂(B)是式(V)或式(VI)表示的化合物,
式(V)及式(VI)中,环E表示碳原子数为3~30的环式烃基,环E可以被选自碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为1~6的烷氧基、碳原子数为1~4的全氟烷基、碳原子数为1~6的羟基烷基、羟基及氰基中的1个以上的基团取代,Z’表示单键或碳原子数为1~4的亚烷基,A+、Y1、Y2与上述含义相同。
9.如权利要求1~8中任一项所述的抗蚀剂处理方法,其中,光产酸剂(B)是含有选自式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)及(IV)中的1种以上的阳离子的化合物,
式中,P1~P5、P10~P21分别独立地表示氢原子、羟基、碳原子数为1~12的烷基或碳原子数为1~12的烷氧基,P6、P7分别独立地是碳原子数为1~12的烷基、碳原子数为3~12的环烷基,或者P6与P7键合,表示碳原子数为3~12的2价烃基,P8表示氢原子,P9表示碳原子数为1~12的烷基、碳原子数为3~12的环烷基或可以被取代的芳香族基,或者P8与P9键合,表示碳原子数为3~12的2价烃基,D表示硫原子或氧原子,m表示0或1,r表示1~3的整数。
10.如权利要求1~9中任一项所述的抗蚀剂处理方法,其还含有热产酸剂(D)。
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