[发明专利]使用索引编程和减少的验证的非易失性存储器和方法

权利要求书

1.在具有存储器单元的阵列的非易失性存储器中，其中每个存储器单元可编程到各自的目标状态，一种并行编程一组存储器单元的方法，包括：

(a)为处于编程的该组的每个存储器单元提供编程索引，存储器单元的编程索引指示用于对该存储器单元编程的最后的编程电压电平；

(b)将编程电压作为一遍编程中的一系列递增的电压脉冲施加到该组存储器单元；以及

(c)根据存储器单元的编程索引，在该遍编程期间对该单元允许编程或禁止编程。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

所述将编程电压作为一系列递增的电压脉冲施加被执行，而在该遍编程期间没有在电压脉冲之间的对该组存储器单元的验证步骤。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：

(d)相对于该组存储器单元的各自目标状态来验证该组存储器单元；

(e)将未被验证的存储器单元的编程索引更新预定增量，以反映将在下一遍编程中使用的最后的编程电压电平，并使得未被验证的存储器单元能够在该下一遍编程中进一步编程；以及

(f)重复(b)至(e)，直到该组的存储器单元已经相对于它们各自的目标阈值电压电平而被验证。

4.如权利要求3所述的方法，其中：

所述将编程电压作为一系列递增的电压脉冲施加被执行，而在该遍编程期间没有在电压脉冲之间的对该组存储器单元组的验证步骤。

5.如权利要求1所述的方法，其中：

由编程索引指示的所述最后的编程电压电平由标识用于编程存储器单元的最后的电压脉冲的脉冲数来表示。

6.如权利要求1所述的方法，其中：

在初始遍编程期间，在每个编程电压脉冲之后跟有验证步骤；以及

通过用每个编程电压脉冲的电压电平来更新直到单元被验证为目标状态，来获取该单元的编程索引。

7.如权利要求1所述的方法，其中：

在初始遍编程期间，单元的编程索引被初始设置为用于将该单元编程到距离该单元的目标状态在预定差量内的估算的编程电压电平。

8.如权利要求7所述的方法，其中：

在初始遍编程期间，通过预定函数来初始设置单元的编程索引；

所述预定函数产生作为该单元的目标状态的函数的所计算的编程电压值。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述预定函数基本上是线性函数。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述预定函数是线性的，并由所估算的斜率和校验点来定义。

11.如权利要求10所述的方法，还包括：

指定在指定的阈值电压电平处的所述预定函数的校验点；

通过交替编程和验证存储器单元直到该单元被编程验证在所述指定的阈值电压电平处，来确定相应的校验点编程电压值；以及

根据所述校验点来校准所述预定函数。

12.如权利要求1所述的方法，还包括：

提供数据锁存器的集合来存储将被编程到存储器单元的编程数据；以及

提供除了所述数据锁存器的集合之外的锁存器，用于存储指示存储器单元是否被编程验证的状态。

13.如权利要求1所述的方法，其中每个递增的电压脉冲具有将存储器单元从一个存储器状态基本上编程到相邻存储器状态的电压电平。

14.如权利要求1所述的方法，其中每个存储器单元具有作为场效应晶体管的浮置栅极的电荷存储元件。

15.如权利要求1所述的方法，其中每个存储器单元具有作为场效应晶体管中的介电层的电荷存储元件。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器具有NAND结构的存储器单元。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器是快闪EEPROM。

18.如权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器被实现在存储卡中。

19.如权利要求1所述的方法，其中处于编程的每个存储器单元存储多于一位的数据。