[发明专利]单元件太阳能电池装置及体系

权利要求书

1.接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置。本装置包括：

一个透明导体；

至少一个点接触二极管，该二极管有一根提供接收天线功能和整流功能的纳米线；

一个位于透明导体和纳米线之间的绝缘薄层；

一个点接触节点，纳米线和绝缘薄层在此处相接。

2.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，纳米线包括一个锐边。

3.根据权利要求2所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其锐边为点状。

4.根据权利要求2所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其锐边为线状。

5.根据权利要求2所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其锐边为圆形。

6.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其点接触节点包括一个很小的接触面。

7.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其点接触节点包括一个大约50到200平方纳米的微小接触面。

8.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线同透明导体位置非常接近。

9.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线同透明导体被0到10纳米的间距隔开。

10.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线包括一个金属电极头和一个金属晶须。

11.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线由高辐射吸收率的金属制成。

12.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线所使用金属吸收率通常至少为大约1％。

13.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线所使用金属吸收率通常为至少10％。

14.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线由低辐射发射低的金属制成。

15.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线由高传导性金属制成。

16.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线由具低电阻的金属制成。

17.根据权利要求16所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其低电阻的制作金属包括钨。

18.根据权利要求16所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其低电阻的制作金属包括钼。

19.根据权利要求16所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其低电阻的制作金属包括镍。

20.根据权利要求16所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其低电阻的制作金属包括金。

21.根据权利要求16所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其低电阻的制作金属包括银。

22.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线长度大约为入射辐射波长的1/4。

23.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其纳米线长度大约为入射辐射波长的1到10倍。

24.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其相邻的纳米线都被大约与入射辐射波长相等的间距分离。

25.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其相邻的纳米线都被大约为入射辐射波长两倍的间距分离。

26.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其相邻的纳米线都被大约为入射辐射波长三倍的间距分离。

27.根据权利要求1所述的接收入射辐射并将其转换为直流电流的装置，其绝缘薄层为真空。