[发明专利]使用应力变化的侵入保护有效

专利信息
申请号: 200980121679.7 申请日: 2009-05-26
公开(公告)号: CN102067144A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 罗曼诺·胡夫曼;雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格;尤里·维克多诺维奇·波诺马廖夫 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G06F21/00 分类号: G06F21/00;H01L23/58;G06K19/073
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 使用 应力 变化 侵入 保护
【权利要求书】:

1.一种集成电路,包括集成在衬底(5)上的电子电路(25),还包括用于保护电子电路的保护装置,保护装置包括:i)第一应变封装层(10),提供在衬底(5)的第一侧,其中第一应变封装层(10)具有在与衬底(5)平行的方向上的应变(S1),以及ii)禁用装置(20),被布置为在衬底(5)中的应变变化的控制下至少部分地禁用电子电路(25)。

2.如权利要求1所述的集成电路,其中,禁用装置包括:i)至少一个应变检测器(20),用于检测衬底(5)中的应变变化;以及ii)禁用电路,被布置为从应变检测器(20)接收表示应变变化的信号,禁用电路耦合至电子电路(25)以当检测到衬底(5)中应变变化时禁用电子电路(25)。

3.如权利要求1或2所述的集成电路,其中,保护装置还包括:第二应变封装层(11),提供在衬底(5)的与第一侧相反的第二侧,其中第二应变封装层(11)具有与第一应变封装层(10)中的应变(S1)实质上相同方向的应变(S4)。

4.如前述权利要求中任一项权利要求所述的集成电路,其中,第一应变封装层(10)和/或第二应变封装层(11)包括聚合物或陶瓷材料。

5.如前述权利要求中任一项权利要求所述的集成电路,其中,禁用装置还包括:另一封装层(15),提供在第一应变封装层(10)上,被布置为减小由第一应变封装层(10)引起的衬底(5)中的应变(S2),其中,衬底(5)以及第一封装层和另一封装层(10、15)被配置为在衬底(5)中应变变化下将集成电路机械分解,例如使集成电路断裂或脱层,其中,应变变化由篡改另一封装层(15)引起,篡改另一封装层释放第一应变封装层(10)中的应变(S1),从而增大衬底(5)中的应变(S2)。

6.如权利要求5所述的集成电路,其中,另一封装层(15)具有与第一应变封装层(10)中的应变(S1)实质上相反方向的应变(S1’)。

7.如权利要求5或6所述的集成电路,其中,衬底(5)具有空间变化的厚度以便于可控地使衬底(5)断裂。

8.如权利要求7所述的集成电路,其中,衬底(5)至少在一侧具有至少一个凹口或槽以便于使衬底(5)断裂,其中,凹口的位置被选择为与电子电路(25)的位置相对应。

9.如权利要求5至8中任一项权利要求所述的集成电路,其中,禁用装置还包括:i)导体(CW、CW1、CW2),ii)完整性传感器(30),耦合至导体(CW、CW1、CW2),用于感测导体(CW、CW1、CW2)的完整性的变化,其中机械分解对导体(CW、CW1、CW2)造成损坏,以及iii)另一禁用电路,被布置为接收对导体(CW、CW1、CW2)的完整性加以表示的信号,所述另一禁用电路耦合至电子电路(25)以当感测到导体(CW、CW1、CW2)的完整性的变化时禁用电子电路(25)。

10.一种制造如权利要求1所述的集成电路的方法,所述方法包括以下步骤:

i)提供集成在衬底(5)上的电子电路(25),以及

ii)提供保护装置,其中该步骤包括以下子步骤:

a)在衬底(5)的第一侧提供第一应变封装层(10),以及

b)提供禁用装置(20)。

11.如权利要求10所述的制造权利要求8的集成电路的方法,其中,提供禁用装置(20)的子步骤包括:在第一应变封装层(10)上提供另一封装层(15)。

12.如权利要求11所述的方法,其中,使用分层流程提供第一应变封装层(10)和另一封装层(15)。

13.一种系统,包括如权利要求1至9中任一项权利要求所述的集成电路。

14.如权利要求13所述的系统,其中,所述系统是从包括银行卡、智能卡、非接触式卡和RFID的组中选择的。

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